GaAs—AlxGai-xAs

Эксперимент по поиску осцилляций дГвА в двумерном инверсионном слое в Si оказался успешным [489,490]. Осцилляции наблюдались также [491,492] в двумерной гетероструктуре GaAs—(AlGa)As с помошью СКИПа достаточная чувствительность достигалась последовательным наложением 4000 слоев, суммарная плошадь которых составляла 240 см . — Прим, при корректуре. [c.78]

Выше было описано большое количество возможных гетероструктур для получения лазерного излучения в диапазоне от 0,6 до 15 мкм. Привлекательность каждой из этих гетероструктур будет зависеть от того, насколько важны потенциальные применения лазеров на данной длине волны, и от того, трудно ли вырастить образцы гетероструктур достаточно высокого качества. Даже о гетероструктурах GaAs—ALGai- As нужно еще многое узнать для того, чтобы с высоким выходом делать при [c.80]

GaAs—Alj Gai-j As заключается в том, что подложка GaAs приводится в контакт с равновесным раствором при температуре Гг и затем медленно охлаждается вместе с раствором до температуры Ti. Такой процесс удобно называть методом постепенного охлаждения (ПО). Равновесный процесс для бинарных (рис. 6.2.1) и тройных (рис. 6.5.1) систем обсуждался выше, однако процесс никогда не происходит таким образом. При эпитаксиальном выращивании как бинарных, так и тройных соединений А В скорость диффузии недостаточна для того, чтобы компоненты, находящиеся на любом расстоянии от поверхности роста, могли прийти с ней в равновесие. В дополнение к уже описанным вариациям состава ограничения, связанные с диффузией, приводят к росту, более медленному, чем ожидалось бы в равновесии. [c.132]

Большая часть вкладываемой мощности рассеивается в активной области в виде тепла, что делает необходимым при конструировании прибора рассмотрение величин, влияющих на тепловые свойства гетеролазеров. В 8 настоящей главы показано, что тепловые свойства гетеролазера могут быть описаны его средним тепловым сопротивлением составляет величину 20—30 К/Вт, что может дать увеличение температуры на —10 К при комнатной температуре. [c.183]

Многие излучательные свойства ДГС-лазеров на GaAs — ALGai-xAs подробно обсуждались в предыдущих главах. В 7 гл. 2 картины дальнего поля были связаны с ограничением оптического поля, возникающем вследствие скачка показателя [c.222]

ДЫХ растворов (все более многокомпонентных) на их основе. Это соединения класса (GaS, GaP, AIN, GaN, InN, InP), A B (ZnS, ZnSe, dS...) и др., позволяющие получать материалы с очень широким диапазоном значений ширины запрещенной зоны от нескольких десятых до > 6 эВ и светодиоды с широкой гаммой цветов. В последние годы удалось получить светодиоды голубого, зеленого свечения (что раньше не удавалось) на основе широкозонных нитридов III группы (A1N, GaN AlGa, InN...) на подложках GaN. Это намного превосходит выпускавшиеся до недавнего времени светодиоды на основе GaAs. Но широкое внедрение нитридов высокого структурного совершенства оказалось очень сложной задачей. Сейчас в развитых странах занимаются разработкой оптимальной технологии их получения. [c.156]

При легировании кремнием слои GaAs, выращенные методом ЖФЭ, могут давать светоизлучающие диоды с внешним выходом люминесценции более 20% [73]. Похожие результаты были получены для AlxGaj- As, легированного Si, при х< 0,1 [74]. Столь высокие значения внешнего выхода получаются вследствие уменьшения самопоглощения при точной компенсации в условиях сильного легирования кремнием. Найдено, что введе [c.122]

На протяжении всей гл. 5, посвященной обсуждению лазерных гетероструктур соединений А В , подчеркивалось, насколько важно хорошо согласовывать решетки, чтобы не допустить образования протяженных наклонных дислокаций. При использовании ALGai-j As хорошее согласование решеток наблюдается при всех значениях х, поэтому малые изменения х не вызывают осложнений, связанных с рассогласованием. Рассмотрим теперь выращивание Ga Ini P на GaAs. Соответствующую тройную систему хорошо описывает гипотетическая диа- [c.130]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...