Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

Эффективные массы в GaAs

Значения энергетических зазоров и эффективных масс в GaAs приведены в первом столбце табл. 4.2.1.  [c.223]

Это уравнение показывает, что для получения больших значений Vd желательно, чтобы Fi — Е было мало, а это означает высокую концентрацию дырок в слое Р — Gao,5iIno,49P- Для увеличения Р — Ещ) требуется низкая концентрация дырок в слое GaAs. Для того чтобы определить в наших примерах положение уровня Ферми, были взяты следующие значения эффективных масс носителей в Gao,5iIno,49P тПп — ОД шо н Шр = 0,60 то. Выражения, необходимые для расчета энергетической зонной диаграммы, были взяты из 3 гл. 4 в части, касающейся изо-типных гетеропереходов.  [c.36]


Линейная интерполяция по зиачеииям эффективных масс плотности состояний в GaAs и А1Аз приводит к следующим выражениям для эффективной массы электрона в указанных минимумах зоны проводимости AUGai As  [c.225]

В ЭТОМ параграфе, посвященном построению энергетических зонных диаграмм гетеропереходов, рассматриваются только параболические плотности состояний, определяемые выражениями (3.4.1) и (3.4.2). Однако для сравнения теоретических и экспериментальных результатов было бы необходимо рассмотреть зависимость величин д —Ес — Ео, рс(Е-Ес) и рр( г — Е) от концентрации, а также сужение запрещенной зоны, описываемое формулой (3.7.2), при высоких концентрациях носителей. Рассмотрение этих концентрационных зависимостей не включено в последующий аиалн так как основные характерные свойства энергетических зонных диаграмм могут быть проиллюстрированы и без привлечения этих дополнительных усложнений Параболическая плотность состояний в GaAs представлена на рис. 4.3.4, а, а значения эффективных масс даны в табл. 4.2.1. Плотности состояний в AUGai-jAs для х =  [c.233]

На рис. 4.3.5 на примере GaAs при Т = 297 К продемонстрировано различие между значениями энергии уровней Ферми, рассчитанными с помощью экспоненциального приближения и интеграла Ферми — Дирака. Для значений эффективных масс плотности состояний, приведенных в табл. 4.2.1, выражения  [c.240]


Смотреть страницы где упоминается термин Эффективные массы в GaAs : [c.274]    [c.196]    [c.46]    [c.157]    [c.126]    [c.657]    [c.98]    [c.99]    [c.10]    [c.45]    [c.223]    [c.164]   
Лазеры на гетероструктурах ТОм 1 (1981) -- [ c.221 , c.223 ]



ПОИСК



GaAs эффективные массы носителей

GaAs—Al*Gai

Масса эффективная



© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте