GaAs, зонная структура

Зонная структура GaAs и нек-рых др, полупроводниковых соединений типа А" В такова, что при освещении их светом с круговой поляризацией возбуждённые электроны в зоне проводимости оказываются поляризованными по спину, причём степень поляризации составляет 50%. В случае ОЭС такие электроны могут выйти в вакуум, образуя пучок спин-поляризованных электронов. Степень поляризации электронов, эмитированных из GaAs с ОЭС, достигает 40- 49%. [c.366]

Определенный выражением (3.6.23) матричный элемент был использован в вычислениях оптического поглощения н усиления в GaAs с примесями ]50, 59—61], а также с некоторыми изменениями, учитывающими другое строение зонной структуры, в аморфном Si [11]. Детальное сравнение экспериментальных и вычисленных значений коэффициента поглощения в сильно легированном GaAs проведено в работе [51]. Результаты этого сравнения приводятся в следующем параграфе. [c.177]

Для построения энергетических зонных диаграмм гетеропереходов необходимо знать зонные структуры образующих их полупроводников. Для тройных или четверных полупроводниковых твердых растворов необходимо также знать зависимость нх зонной структуры от состава. В следующем параграфе мы вначале определим параметры, необходимые для описания GaAs и AIAs, а затем установим зависимость этих параметров от состава X для AUGai ,As. [c.219]

Рис. 4.2.1. Зонная структура GaAs. Энергия представлена как функция волнового вектора к в направлениях [100] и [111]. Обозначения Г, 1 и L соот-ветствуют разным межзонным энергетическим зазорам.

Аналогично в гетероструктурах (напр., на основе GaAs) у свободной поверхности полупроводников и на границах зёрен (Si, Ge, InSh и др.) образуется двумерный слой с избыточной концептрациеп подвижных носителей заряда или с инверсной проводимостью (см. Инверсионный слой). Он возникает из-за изгиба зон и при приложении разности потенциалов к структуре металл — диэлектрик — полупроводник (см. МДП-структура). Д. п. — [c.565]

С. на основе гомопереходов в прямозонных полупроводниках, легированных т. в. мелкими примесями (см. Примесные уровни), имеют существ, недостаток — сильное поглощение излучения внутри кристалла (коэф. поглощения а — 10 см Ч. Снижение потерь па межзонное поглощение достигается уменьшением энергии излучения за счёт Компенсации примесей в активной области (напр., в эпитаксиальной р — л-структуре GaAs, легированной Si). При сильном легировавии и компенсации хаотически расположенный в пространстве заряд примесей создаёт искривление границ зон, при к-ром локальная ширина запрещённой зоны остаётся постоянной (см. Сильнолегированный полупроводник). Это приводит к тому, что в распределении плотности состояний появляются участки при энергиях ниже зоны Проводимости и выше валентной зоны — т. н. хвосты плотности состояний, пространственно разделённые в обеих зонах. В С. с такой структурой в излучат, рекомбинации принимают участие глубокие и удалённые группы состояний, При этом излучаемые фотоны характери- [c.466]

На рис. 9.3 изображена структура энергетических зон арсенида галлия, где видно, что зона проводимости GaAs характеризуется двумя минимумами. В минимуме, соответствующем точке к = О, электроны имеют примерно в 25—30 раз большую подвижность, чем электроны во втором минимуме. За счет внешнего электрического поля при высокой его напряженности энергия электронов первого минимума может повыситься настолько, что окажется возможным их переход во второй минимум, где подвижность электронов много меньше. В результате [c.68]

Спин-орбитальное расщепление валентной зоны. Перейдем теперь непосредственно к полупроводникам с решеткой цинковой обманки и рассмотрим дисперсию носителей тока в валентной зоне в окрестности точки экстремума ко =0. Полученные результаты применимы (с некоторыми оговорками и дополнениями) и для элементарных полупроводников со структурой алмаза, а также для полупроводниковых соединений со структурой вюрцита. В пренебрежении спином и спин-орбитальным взаимодействием (нерелятивистское приближение) Г-состояния на дне зоны проводимости и в потолке валентной зоны в полупроводнике типа GaAs характеризуются s- и /7-симметрией. Соответствующие (орбитальные, или координатные) функции записываются в виде S r) = S (представление Г) точечной группы Td) и X, Y, Z (представление Г15). Они периодичны с периодом решетки цинковой обманки, напримерХ(г + а,) = = А (г), где а, (г = 1, 2, 3) — базисные векторы решетки Браве. Учет спина удваивает число состояний t5 и — в зоне проводимости, X, tY, [Z,iX,iY, iZ— в валентной зоне. [c.20]

В предыдущих главах подробно разбирались свойства ДГС-лазеров с широким контактом. Как было показано на рис. 1.4.2, 2.3.1 и 2.3.2, структура слоев ДГС может быть типа N — р Р или N — п — Р. В гл. 2 рассматривался волноводный эффект в асимметричных и симметричных ДГС и были приведены численные значения коэффициента оптического ограничения. В 3 гл. 4 были представлены диаграммы энергетических зон ДГС. Численные примеры для прямого смещения приведены на рис. 4.3.16 и 4.3.17. В 6 гл. 4 рассматривалось ограничение носителей в структуре GaAs — Alj Gai xAs. Было показано, что обычно носители хорошо удерживаются в активной области. В 5 гл. 6 были описаны методы многослойной ЖФЭ. Изготовление приборов обычно следует методике, описанной в 2 гл. 7. [c.202]

Смотреть страницы где упоминается термин GaAs, зонная структура : [c.294] [c.257] [c.500] [c.505] [c.381] [c.98] [c.220] [c.220] [c.325] [c.326] [c.412] [c.88] [c.100] [c.89] [c.106] [c.107] [c.109] [c.18] [c.35] [c.49] [c.17] [c.44] [c.103] [c.163] [c.265]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...