Экситоны диамагнитные

Экситон диамагнитный — экситон, образованный электроном и дыркой с уровней Ландау в зоне проводимости и валентной зоне. [c.288]

Собственные функции и собственные значения энергии диамагнитных экситонов определяются уравнением [c.321]

Поглощение света кристаллом происходит при рождении диамагнитных экситонов в основном или в возбужденных состояниях. Диамагнитные экситоны могут образовываться любой комбинацией подзон Ландау из зоны проводимости и валентной зоны. [c.322]

Оптически активными будут только экситонные переходы, в которых участвуют электрон и дырка из подзон одинакового квантового числа п. Другими словами, при поглощении света наиболее вероятно образование диамагнитных экситонов при выполнении правила отбора Ая==0. Вероятности переходов с нарушением этого правила ничтожно малы, так как матричные элементы-переходов пропорциональны квадрату волнового вектора Л. Последнее утверждение является следствием предположения, что в образовании диамагнитного экситона участвуют только состояния из двух подзон Ландау. [c.322]

Фотовозбуждение диамагнитных экситонов в InSb наблюдалось Джонсоном [236] в полях (2 — 4) 10 з при температуре 20 °К. Были выделены и изучены две пары максимумов поглощения фотонов, поляризованные параллельно полю. Одна пара была сопоставлена с экситоном, образованным тяжелой дыркой и электроном, находящимся на уровне Ландау со спином 1/2, а другая — с экситоном, образованным тяжелой дыркой и электроном jja самом нижнем уровне Ландау со спином — 1/2. [c.322]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...