Арсениды олова

Теллур Олово Цинк Нелегированный арсенид галлия [c.578]

Мышьяк, сурьма, золото, серебро, олово и висмут в основном переходят в черновой свинец. При повышенных содержаниях мышьяка и сурьмы может образоваться самостоятельный продукт—шпейза, представляющая собой сплав арсенидов и антимонидов металлов. Шпейза является источником потерь ценных металлов, включая золото и серебро, и получение ее нежелательно, так как рациональных методов ее переработки до сего времени не найдено. [c.236]

Ф о с ф иды и арсениды олова. Опи- сан ряд фосфидов олова, к-рые имеют значение при приготовлении фосфористой бронзы. Из этих соединений наибольшее значение имзет 8п4Рд, кристаллич. вещество серебри- сто-белого цвета, уд. в. 5,18 при 20°. начинающее разлагаться при 480°. Фосфид с ф-лой SnP также представляет собою кристаллич. вещество металлич. вида уд. в. 4,1.Его разложение начинается при 415°. Он легко подвергается действию дымящей HNO3. С мышьяком Sn образует гл. обр. соединение состава SnaASg уд. в. 6,56 при 20°. [c.17]

Сходным образом небольшие количества оксида мышьяка ускоряют коррозию стали в кислотах (например, в HjSO ), возможно, благодаря формированию арсенидов. А будучи добавленным в больших количествах (jw 0,05 % в 72 % HjSOJ, оксид мышьяка становится эффективным ингибитором коррозии, вероятно, вследствие того, что элементарный мышьяк, имеющий высокое водородное перенапряжение, осаждается на катодных участках. Соли олова имеют аналогичный ингибирующий эффект и используются для защиты стали от разрушения травильными кислотами при удалении окалины. — Примеч. авт. [c.58]

Арсенид галлия (ОСТ 4.032.015—80) применяется для производства электронных приборов и эпитаксиальных структур. Арсенид галлия выпускается как в виде поликристаллических слитков (марка АГН-1), так и в виде моно-кристаллических слитков (остальные марки). Выращивают монокристаллы либо горизонтальной направленной кристаллизацией, либо вытягиванием по методу Чохральского из-под флюса. В качестве легирующих примесей используют теллур, олово, цинк и кремний. Монокристаллнческие слитки, легированные цинком, н.меют дырочный тип электрической проводимости, остальные — электронный. Слитки арсе-нида галлия различных марок различаются концентрацией основных носителей заряда (ОНЗ), допустимым отклонением концентрации ОНЗ (табл 83) от номинального значения (Ю--80 %), номинальными значениями диаметров слитков (20—50 мм), плотностью дислокаций (5-10 —8-10 м ). Ориентация продольной оси монокрнсталлИ" ческих слитков [111], [100], И01 Отклонение плоскости торцового среза [c.576]

Подвижность основных носителей заряда (нижний предел) для арсенид галлия, легированного теллуром, оловом, цинком и иелегированного при температуре (23 2) С (ОСТ 4.032.015—80) [c.578]

Арсенид индия для производства полупроводниковых приборов и оптических целей (ТУ 48-4-420—80) выпускается в виде поликристаллических слитков, выращенных по методу Бриджмена (марка ИМЭП-0) и по методу Чохральского (марка ИМЭП-1), и в виде монокристаллических слитков, нелегированных и легированных теллуром, оловом, цинком и марганцем, выращенных по методу Чохральского. [c.579]

Различают полупроводники элементарные и соединения. К элементарным относятся следующие элементы таблицы Менделеева углерод (алмаз), кремний, германий, олово, фосфор, мышьяк, сурьма, висмут, сера, селен, теллур, йод. Полупроводниковые соединения сульфиды цинка, германия, олова, кадмия, ртути, сзинца селениды цинка, германия, олова, кадмия, ртути, свинца теллуриды цинка, германия, олова, кадмия, ртути, свинца арсенид и фосфит галлия карбид кремния и др. Имеются также аморфные (стеклообразные), органические и магнитные полупроводники, свойства которых пока недостаточно изучены. [c.335]

Однородные структуры. Однородная кристаллическая структура, как известно, присуща монокристаллам и твердым растворам. Монокристаллические покрытия (пленки) образуются в процессе ориентированного роста монокристалла одного вещества на кристаллической грани другого (эпитаксиальное наращивание). В слое покрытия при благоприятных условиях полностью воспроизводится кристаллографическая ориентация поверхности покрываемого кристалла. Например, используя пересыщенный раствор германия в жидком свинце, на монокристалле германия получают монокристаллическую пленку германия на арсениде галлия (GaAs) формируется одноименная пленка из пересыщенного раствора GaAs в жидком олове. Более широко применяют способы эпитаксиального наращивания из паровой фазы в вакууме. [c.173]

Атомы примеси размещаются преимущественно в подрешетке катиона и ведут себя при этом как простые доноры. Примером таких примесей является Sn [31] (рис. 3.19). Олово проявляет амфотерные свойства в наименьшей степени по сравнению с Si и Ge в GaAs. Вплоть до очень высоких концентраций олова образцы GaAs(Sn) обладают я-типом проводимости. Однако в то же время олово имеет глубокий акцепторный уровень в запрещенной зоне, причем, по-видимому, этот уровень обусловлен атомами олова, замещающими As в узлах решетки. Амфотерность олова в арсениде галлия окончательно была установлена после изучения эффекта Мессбауэра на ядрах Sn при их имплантации в GaAs. [c.135]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...