Сеть кристаллическая

Блок питания состоит из стабилизированного выпрямителя, собранного на лампах Л , Л , Л , Л-, (для питания усилителя электронный стабилизатор поддерживает анодное напряжение усилителя равным 180 1 в при колебаниях напрял<ения в сети 190—240 в), и выпрямителя, собранного на кристаллических диодах Да, Дз, Д , Д , обеспечивающего питанием измерительный мост и вторичные обмотки реле Pi и Рц. [c.51]

Значение взвешенных веществ на повышение вспенивания котловой воды связано с тем, что они на поверхности пленки вызывают образование разветвленной сети квази-кристаллических утолщений, упрочняющих оболочки поверхностных пузырей. [c.68]

При любом механизме диффузии для совершения элементарного скачка частице должна быть сообщена энергия активации, которая затрачивается или на деформацию окружающей решетки, или на энергию образования вакансии и работы на преодоление потенциального барьера между диффундирующим атомом и вакансией. В ряде случаев существенное ускоряющее влияние на диффузию оказывают различные примеси или дефекты кристаллической решетки (дислокации, мозаичная структура и т.п.). Особое значение приобретают поверхностная диффузия и диффузия по фаницам зерен в металлах, характеризуемые малой энергией активации. В случае трения реальных твердых тел это может быть вызвано появлением фадиента температур и сети сжимающих и растягивающих напряжений, возникающих непосредственно в зоне трения. [c.84]

Прн трении в нем также происходит разделение параллельных плоскостей кристаллических сетей, но, в противоположность графиту, не требуется помощь посторонних атомов для стадии разбухания, поэтому эффект смазывания возникает значительно быстрей, даже в условиях вакуума и высоких скоростей. [c.74]

Принцип действия. Крутящий момент, пропорциональный перемещению измерительного штока 2, вставленного свободно в плоские пружины I, через измерительную пружину 3 передается на находящуюся в поле магнита 4 рамку 5 гальванометра. Вместе с рамкой 5 приводится в движение укрепленная на ней пластинка 6, которая находится между щелевыми соплами 7 нагнетателя воздуха 8 и четырьмя электрически нагреваемыми болометрическими спиралями Р—12, включенными по мостиковой схеме. Пластинка 6 регулирует поступление холодного воздуха и тем самым вызывает изменение сопротивления боло.метрических спиралей. Часть тока, полученного в мостиковой схеме, создает в рамке 5 электрический крутящий момент, противодействующий механическому крутящему моменту от штока 2. Рамка 5 находится в движении до тех пор. пока оба момента не уравновесят друг друга. Так как крутящий момент гальванометра пропорционален току 1, то ток, протекающий через мост и показывающий прибор 13, пропорционален перемещению измерительного штока 2. Для исключения колебаний тока i моста с помощью трансформатора 14 в цепь гальванометра подается производная от тока i моста. Питание демпфера 15 и подогрев болометрических спиралей 9—12 осуществляются пульсирующим выпрямленным током, который подается из сети переменного тока через магнитный стабилизатор напряжения и сухой кристаллический выпрямитель. [c.446]

Влияние изменения межсловных расстояний (с) на ЭЭС г-ВК моделировали в [132, 133]. Установлено, что с ростом с происходит изменение типа симметрии дна валентной зоны (Г /Г при с 6,5 А). Начиная с указанной межслоевой дистанции, характер ЭЭС г-ВН утрачивает особенности, присущие кристаллическому нитриду, см. [72], и дисперсионная картина полностью совпадает с таковой для изолированных двумерных графитоподобных сетей, составленных гексагонами BзNз [133,134]. [c.20]

Действительно, на некотором этапе этого процесса, как уже упоминалось, микроповреждеяия объединяются в макротрещины. Можно отказаться от детального изучения возникновения и развития сети микроповреждений (распределение которых по телу должно представлять поле параметра со, фигурирующего в (4.39)), если хотя бы ориентировочно известны начальные размеры и положение макротрещин. А это во многих случаях и в самом деле можно указать довольно точно без детального анализа начальной стадии процесса разрушения (существенное значение имеет тот факт, что между микро- и макротрещинами нет резкой границы часто разрывы в кристаллической решетке с размерами порядка десятков ангстрем оказывается возможным трактовать на языке механики сплошной среды). В результате задача о разрушении тела сводится к задаче о равновесии (или движении) тела с трещинами, определению сопротивления распространению в теле заданной системы трещин и тому подобным вопросам, служащим предметом механики тела с трещинами или, короче, механики трещин. [c.137]

Правильнее дать следующее объяснение роли взвешенных веществ. Адсорбируясь на пленке пузыря, взвешенные частицы создают на ней местные утолщения, возникающие вследствие смачивания этих частиц пленочной влагой (фиг. 15,6). Очевидно, может происходить не только подъем влаги около взвешенной частицы, но и полное обволакивание ее пленкой. Близлежащие частицы I ерекрываются как бы мостиками из местных утолщений поверхностной пленки, создающими развитую сеть по всей поверхности парового пузыря с внутренней и наружной его сторон. Из сравнения свободной от взвесей и покрытой ими пленок пузырей (фиг. 15,а и 15,6) видно, что в последнем случае увеличивается количество квази-кристаллических комплексов, входящих в структуру пленки и обусловливающих ее прочность. Рост парового пузыря над поверхностью зеркала испарения, сопровождаясь утоньшением поверхностной пленки, вызывает более быстрое разрушение пузыря, не покрытого взвешенными частицами, чем пузыря с сетью мостиков па его поверхности. В этом слу- [c.59]

Карбонатная накипь откладывается обычно в форме ПЛОТНЫХ кристаллических отложений на тех поверхностях нагрева или охлаждения, где отсутствует кипение воды, а среда—нещелочная (водяные экономайзеры, конденсаторы турбин, водоподогреватели, питательные трубопроводы, тепловые сети и др.). В условиях же кипения щелочной воды (в котлах, испарителях) СаСОз обычно выпадает в форме непри-кишающего шлама. [c.38]

В составе щелочно-земельных отложений (накипей) преобладают катионы кальция, магния и анионы карбонатные, сульфатные и силикатные СаСОз, Са504, СаЗЮз, М2(0Н)г, бСаО-бЗЮг-НаО. Это плотные кристаллические отложения, которые могут образовываться на стенках подогревателей, конденсаторов турбин, тепловых сетей, испарителей, экономайзеров. [c.149]

Сварочными выпрямителями называют электрические аппараты, преобразующие переменный ток трехфазной сети в постоянный при помощи полупроводниковых приборов. Полупроводниковыми называют кристаллические вещества (например, легированные кристаллы кремния, германия и т.п.), которые используют для изготовления полупроводниковых электрических приборов — диодов, тиристоров и транзисторов. Диод (рис. 6.1, а) обладает свойством односторонней проводимости положительного тока (анода) и задержки отрицательного тока (катода). Аналогично диоду работает тиристор (рис. 6.1,6), который имеет управляющий электрод УЭ, через который подается электрический сигнал тиристору для открывания и пропуска тока. Его называют управляемым диодом. Свойство этих приборов пропускать ток в одном направлении и закрывать проход тока в другом аналогично свойству вентилей открывать и закрывать прохождение воды или газа, поэтому их называют полупроводниковыми вентилями. Третий прибор—транзистор (рис. 6.1, в) обладает свойством усиления тока, напряжения и мощности. [c.79]

Из изложенного следует, что в кристаллической решетке всегда имеются границы, перпендикулярные плоскостя.м скольжения, разделяющие части решетки, наклоненные или закрученные одна относительно другой, на малый угол. Такие границы действуют как препятствия движению дислокаций, и поэтому во время пластической дефор.мации вдоль этих границ происходит усиленное накопление дислокаций. Так как граница не может заканчиваться внутри кристалла и обязательно должна пересекаться с другой границей, то весь объем кристалла оказывается заполненным сет- [c.145]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...