Захват нейтронов в кристалла

Напомним, что эта же функция g (fi) входит и в выражение для вероятности захвата нейтрона в кристалле f M. формулу (38.11)]. [c.398]

Закон Ijv 176, 244, 262 Захват нейтронов в кристаллах 352 [c.415]

Захват медленных нейтронов в кристаллах [c.352]

В предыдущих главах мы изучали различные процессы взаимодействия частиц со свободными изолированными ядрами. Однако при изучении взаимодействия частиц с веществом ядра, вообще говоря, нельзя рассматривать как свободные. Учёт связи между атомами особенно необходим для тех процессов, в которых участвуют медленные частицы, в частности, медленные нейтроны. Благодаря этой связи возникают интерференционные явления при упругом и неупругом рассеянии медленных нейтронов в кристаллах в ряде случаев связь оказывает существенное влияние на радиационный захват медленных нейтронов в кристаллах. [c.352]

ЗАХВАТ МЕДЛЕННЫХ НЕЙТРОНОВ В КРИСТАЛЛАХ 353 [c.353]

Начнём с изучения радиационного захвата медленных нейтронов, в кристаллах Нас интересует вероятность w (Е) захвата нейтрона с энергией ядром типа А, занимающим определённое положение в кристаллической решётке. В результате захвата излучается - -квант с импульсом к, а решётка переходит из состояния л° в состояние ла - Для краткости будем обозначать в дальнейшем начальное и конечное состояния всей системы (включающей нейтрон, решётку, ядро и (-квант) соответственно символами р л А и к Ла В (5 обозначает конечное состояние ядра, р — импульс нейтрона). [c.353]

Разработка принципов создания материалов, способных выдерживать высокие радиационные нагрузки, безусловно, одна из актуальных задач физики твердого тела, и аморфные материалы оказались одним из интереснейших испытуемых объектов, поскольку в них не могут возникать дефекты, типичные для кристаллов. Имеющиеся данные показывают, что, действительно, некоторые аморфные сплавы, например Pd — Si [61], не теряют своих прочностных характеристик и после значительного радиационного воздействия. К сожалению, ряд интересных в практическом отношении аморфных материалов содержит элементы (например, бор) с высоким сечением захвата нейтронов. Поэтому при создании материалов с высокими физическими свойствами и одновременно с высоким сопротивлением действию радиации необходимо уделять особое внимание выбору состава сплава. Следует также учитывать возможную кристаллизацию под действием радиации. [c.289]

Однако известно [358, 637, 638], что если кислород и является неподвижным при комнатной температуре, то он может образовывать различные виды комплексов, захватывая подвижные дефекты, например, вакансии, которые могут иметь различное зарядовое состояние V , V , V , так же как и дивакансии V2, V2, Например,в [637] концентрация кислорода в кристалле резко падала при нейтронном облучении Si при 40—60° С, вследствие образования Л-центров (комплекс вакансия—кислород). Из опытов по электронному облучению Si и Ge [358] также следует, что вакансии мигрируют и захватываются атомами кислорода при температурах существенно ниже комнатной, так как энергия миграции их очень мала. При этом время захвата равно t = (4ттгОМ(,у [638], где Nq - концентрация центров кислорода г — радиус захвата ( 3 -10 См). Приняв для Ge при 20°С D = 4,3-10" см /с и 7Vo=4-10 см , получим f = 1,55 Ю- с. Таким образом, не только изменением концентрации одних вакансий можно объяснить акцепторное действие микродеформации, но и образованием вакансионно-кислородных комплексов указанного типа. [c.221]

Изучив различные процессы, одновременно протекающие при облучении селеновых и меднозакисных кристаллов, можно выявить некоторые механизмы нарушений. К таким процессам относятся ядерные превращения, искажения кристаллической решетки и отжиг. Ядерные превращения вызываются захватом тепловых нейтронов, а последующий радиоактивный распад приводит к образованию химических примесей в кристаллической решетке. Разупо-рядочение кристаллической решетки является результатом упругого рассеяния нейтронов, обладающих высокой энергией. При температурах выше 130° К существенную роль начинает играть процесс отжига. Кроме того, комптоновское рассеяние у-квантов приводит к образованию электронов с высокой энергией, которые в свою очередь могут вызвать разунорядочение кристаллической решетки при упругом рассеянии. В одном или более барьерах могут наблюдаться фотоэлектрические эффекты, причем фотонапряжения оказывают во многих случаях влияние на работу электронных схем, даже если после облучения необратимые изменения отсутствуют. [c.358]

Особенность циркониевых минералов — присутствие в них до 3% гафния. Как известно, гафний имеет весьма большое сечение захвата feплoвыx нейтронов (105—115 б), превышающее в 600 раз сечение захвата циркония. Для применения в ядерных реакторах необходимо, чтобы содержание гафния в цирконии не превышало 0,01 %. Очистка циркония от гафния ввиду большого химического сродства между ними представляет собой сложный и дорогостоящий технологический процесс. Наилучшую очистку обеспечивает иодидный процесс, когда в вакууме на раскаленную проволоку из объема, заполненного газообразным иодистым цирконием, высаживаются кристаллы чистого циркония (термическая диссоциация). Высокие показатели очистки циркония от гафния получают и методом экстракции или дробной возгонки. [c.320]

ГРАФЙТ (нем. Graphit, от греч. gra-pho — пишу), природный и синтетич, кристалл углерода, устойчивый при норм, условиях. Точечная группа симметрии б ттт, плотность 2,23 г/см , пд—3850=t50° . Кислотоупорен (окисляется только при высоких темп-рах), жаропрочен, легко обрабатывается, Х(Л)ошо проводит электрич. ток. Обладает малым сечением захвата тепловых нейтронов, малым коэфф. трения, резкой анизотропией св-в твёрдость вдоль оси 6 по шкале Мооса — [c.138]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...