Концентрация напряжений в растянутых или сжатых элементах

Одним из основных принципов проектирования решетчатых конструкций является концентрация усилий в меньшем числе стержней, т. е. увеличение размеров панелей. Той же цели служит применение стержней предельной допустимой нормами гибкости. В стальных конструкциях стержни поясов и опорных раскосов часто выбирают с гибкостью 80—100, в элементах решетки— до 150, в связях — до 200. За рубежом гибкость сжатых стержней допускают и больше. В высоких сооружениях получили распространение конструкции с раскосами и связями, гибкость которых 350 в предварительно напряженных конструкциях гибкость растянутых элементов не ограничивается. В решетчатых конструкциях из низколегированной стали и тем более из алюминиевых сплавов гибкость стержней принимают не более 40—60. Удлинение разнообразных стержней будет 15—50, если поперечный размер стержня принять в три раза больше радиуса инерции стержня. При таком удлинении стержней х- острыми краями их коэффициент лобового сопротивления будет 1,35— 1,75 вместо 1,98—2,12 бесконечно длинной пластинки. В СНиП коэффициент лобового сопротивления многих профилей решетчатых конструкций принят 1,4. [c.71]

В заключение рассмотрим случай концентрации напряжений вокруг малого ра-(с диального отверстия в полом тонкостенном валу при кручении (рис. 232). Двумя парами взаимно перпендикулярных площадок, наклоненных под углом 45° к образующим вала, выделим вокруг отверстия некоторый элемент (рис. 233). Эти площадки для рассматриваемой задачи кручения, как было установлено, являются главными, а поэтому по граням рассматриваемого элемента abed будут действовать только нормальные напряжения, равные по величине, но разные по знаку. Абсолютные значения их, как известно, равны касательным напряжениям, определяемым в соответствующих точках поперечного сечения по формулам теории кру-ченля. Анализируя напряженное состояние рассматриваемого элемента и полагая, что отверстие мало, а стенки вала тонкие, легко убедиться, что это напряженное состояние аналогично тому, какое имеет место для тонкой пластинки с малым отверстием, растянутой в одном направлении некоторым напряжением а = т и сжатым таким же по величине напряжением в направлении под углом 90° к первому. [c.238]

Восходящая диффузия — диффузия в условиях наличия градиента упругих напряжений с1и/с1х. Схематически это можно представить себе следующим образом. Пусть некоторый объем кристалла содержит атомы двух элементов А и В, имеющих существенно различные размеры > Кв. В равновесном состоянии распределение атомов А и В в разных макрообъемах будет однородным. Если теперь изогнуть кристалл и в изогнутом состоянии нагреть до такой температуры, при которой станет возможной интенсивная диффузия атомов, то под влиянием стремления системы к уменьщению упругих напряжений атомы А будут диффундировать в растянутую область кристалла, а атомы В — в сжатую. В результате возникнет градиент концентраций. Характерным примером такой диффузии является образование примесных атмосфер вокруг дислокаций. [c.286]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...