Усиление поверхностных акустоэлектрических волн

УСИЛЕНИЕ ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ВОЛН [c.147]

Значительно более разнообразные ситуации возникают в ограниченных ньезоэлектриках. В частности, в слоистых структурах пьезодиэлектрик — полупроводник возможен заметный обмен энергий между подсистемами даже в отсутствие акустического контакта вследствие приповерхностных сопутствующих колебаний. Такой обмен энергией может приводить к поглощению и усилению как объемных, так и поверхностных волн в пьезокристалле (см. 7 гл. III). В этом параграфе мы рассмотрим более подробно усиление и поглощение сдвиговых акустоэлектрических волн при отражении от полупроводника в слоистой структуре кубический пьезокристалл — полупроводник с током. Оси координат, ориентацию и расположение пьезокристалла выберем такими же, как в 1 настоящей главы. Полупроводник, в котором течет ток, созданный внешним постоянным полем Е = О, Ео, 0), занимает полупространство а < О, акустический контакт между средами отсутствует. В объеме пьезоэлектрика задана сдвиговая волна со смещением и = О, О, U exT i(.—qoX + ру — ot) и углом скольжения 0, qo = к sin 0. Полное решение в пьезокристалле, описывающее СПК, падающую и отраженную волны, дается выражениями (1.13), поскольку удовлетворяет исходным уравнениям (1.9). Возмущения, возникающие в плазме полупроводника, описываются линеаризованными уравнениями (5.1) —(5.2) [c.75]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...