Условие на поверхности эллипсоидальной конфигурации

Условие на поверхности эллипсоидальной конфигурации [c.185]

При таком условии наибольшая часть магнитного потока, вытесненного полостью, будет ответвляться в область больших магнитных проницаемостей, т. е. по оси 2. В результате конфигурация магнитного поля рассеяния, обусловленного локальной несплош-ностью, на поверхности пластины вблизи дефекта имеет форму эллипса, большая ось которого располагается перпендикулярно к вектору поля, намагничивающего пластину. На рис. 1.4 изображена топография поля дефекта, обусловленного локальной полостью. Топография снята ленточным датчиком. При этом обнаружено, что с ростом намагниченности изделия эллипс принимает более вытянутую форму. Этот результат согласуется с работами [5, 96], в которых эллипсоидальность поля рассеяния, обусловленного локальным дефектом, объясняется теорией поверхностных зарядов. Кро.ме того, в работе [96] отмечено, что в слабых намагничивающих полях большая ось эллипса располагается параллельно вектору намагниченности изделия, что также свидетель- [c.31]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...