Причины ротационной неустойчивости

Причины ротационной неустойчивости [c.115]

Важнейшей неустойчивостью дислокационных структур является ротационная. Она обнаруживается при достижении достаточной степени деформации во всех твердых телах в виде закономерной переориентации в ходе пластической деформации кристаллографических или других выделенных направлений. Ниже проанализирована качественная связь различных неустойчивостей в дислокационных ансамблях с термодинамикой необратимых процессов, экспериментальные данные о типичных проявлениях ротационной неустойчивости, причины ее появления, подробно рассмотрено дисклинационное описание ротационных эффектов в дислокационных структурах. Предлагаемый вниманию читателей материал в основном не повторяет, а дополняет содержание монографии [6]. [c.102]

Ротационная неустойчивость на мезоскопическом уровне представляет собой коллективный эффект разделения дислокационной плотности р на группы зарядовых дислокаций рЛр+ + Лр [6]. Появление коллективных эффектов в дислокационном ансамбле обусловлено двумя основными причинами термодинамической [5] и кинетической [4]. [c.115]

Для оценки критической плотности = гГ возьмем О порядка предела текучести хорошо отожженного материала а, =(1,5-4- 5) X X 10—. Это даст приведенный выше диапазон значений р , при этом Гд = 0,1 -Ь 0,3 М1М . Данное значение соответствует введенному в 2 мезоскопическому уровню ротационной пластической деформации. Для ротационной неустойчивости важны обе причины возникновения коллективных дислокационных эффектов. Действительно, на фронте развивающейся неустойчивости (рис. 4.1, г 4.5,6) сосредоточены мощные источники напряжений — частичные дисклинации, которые, как будет показано в 4, способствуют разделению р Ар+ + + Ар-. Ясно также, что стенки и самосогласованные сетки дислокаций обладают меньшей энергией по сравнению с хаотическим распределением дислокаций. При зарождении сеток и стенок конечной длины (т. е. дефектов дисклинационной природы) важный вклад вносит работа внутренних и внешних источников напряжений. [c.116]

Ранее возникновение поворотов кристаллической решетки при ПД рассматривалось как пассивное следствие неоднородности деформации ламинарного типа. Например, предполагалось, что образование иррациональных двойников Бриллиантова—Обреимова происходит за счет накопления Др в виде дислокационной стенки на границе двух разнонапряженных частей кристалла (Xj и Тг) вследствие неоднородности двух ламинарных дислокационных потоков [161]. В настоящее время одной из основных причин ротационной неустойчивости кристаллов считают коллективное движение дислокаций [162]. В этом случае ротации в пластически деформируемых кристаллах возникают под действием крутящих моментов или как следствие дислокационной неустойчивости. [c.98]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...