Методы, основанные иа измерении люминесценции

Здесь же обратим внимание на следующее обстоятельство [51]. Все существующие методы определения оГо можно разбить на две группы —спектроскопические и генерационные (лазерные), В спектроскопических методах (в том числе и в методе Джадда — Офельта) Оо определяется по спектрам поглощения и люминесценции с использованием соотношения вида (1.20), Генерационные методы определения Оо основаны на измерениях энергетических характеристик лазеров и усилителей, например на измерении сброса инверсной населенности в усиливающей среде и одновременного с ним прироста энергии усиливаемого импульса [14, 36, 52]. Значения Оо, получаемые всеми перечисленными методами для одних и тех же стекол, оказываются различными, что можно видеть из данных табл. 1.5. Наблюдаемый разброс значений Оо, определяемых [c.28]

Спектроскопия фотолюминесценции твердых тел методически основана на измерении спектра вторичного свечения при фиксированном спектральном составе возбуждающего света и на измерении спектра возбуждения фотолюминесценции, когда приемник регистрирует вторичное излучение в узком спектральном интервале и измеряется зависимость сигнала от частоты возбуждающего света. В первом методе измеряемый спектр определяется главным образом силой осциллятора и временем жизни излучающих состояний, энергетически расположенных вблизи края фундаментального поглощения, и косвенно процессами энергетической релаксации горячих возбужденных состояний. Во втором методе в первую очередь получается информация о спектре и силе осциллятора (но не о времени жизни) электронных возбуждений в энергетической области выше края поглощения. Вклад в фотолюминесценцию полупроводников могут вносить различные механизмы излучательной рекомбинации, такие как зона—зона , зона—примесь , донор—акцептор , с участием фонона, излучение свободных, связанных или локализованных экситонов, а также экситон-поляритонная и биэкситонная рекомбинации. Фотолюминесценция структур с квантовыми ямами имеет свои характерные особенности. В частности, низкотемпературная люминесценция нелегированных квантовых ям обычно связывается с излучательной рекомбинацией экситонов, локализованных на шероховатостях интерфейсов и флуктуациях состава. Дело в том, что в реальности интер- [c.134]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...