Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

Механизм роста послойный

В зависимости от морфологии растущей поверхности механизм роста кристаллов может быть послойным, спиральным и нормальным. Он связан с характером расположения атомов в решетке кристалла и с характером межатомных взаимодействий. Теория роста кристаллов основана на анализе сил связи, действующих между атомами в кристалле, с помощью теории химической связи. А поскольку теория химических связей носит полуколичественный характер, то для описания механизмов роста кристаллов используют простые модели, например, представляют атомы в виде простых кубиков, плотная упаковка которых позволяет получать как гладкие грани, так и шероховатые.  [c.184]


Авторы работы [74] описывают послойный механизм роста кристаллов при малых переохлаждениях вблизи фронта кристаллизации. При очень больших переохлаж-  [c.64]

Слоевой рост. Представления о механизме слоевого роста кристаллов основаны на допущении о большей вероятности закрепления очередного атЬма на ступеньке поверхностного слоя толщиной в один атом. Рост происходят в результате последовательного заполнения таких слоев или, что эквивалентно, рост осуществляется повторимым ходом отдельных слоев. Правильность воспроизведения структуры кристаллов обязана упорядоченному послойному росту. Новый слой начинает образовываться только после нарастания на грани предыдущего. Существование незаконченного слоя тормозит образование нового слоя.  [c.6]

Анизотропия сил межатомной связи в цементите проявляется в процессе его растворения при графитизации белого чугуна. При замедленной графитизации участки грубозернистого цементита претерпевают избирательное растворение и приобретают псевдо-перлитную структуру [28]. Наиболее рельефно особенности кристаллической структуры цементита выступают при росте монокристаллов. При формировании кристалла вблизи усадочной поры в определенный момент времени он обнажается вследствие понижения уровня жидкости. Исследование большого числа кристаллов, извлеченных из усадочных раковин опытных слитков, позволило наблюдать различные эташз их роста. Кристаллы и их обломки имели форму пластин. Характерной особенностью всех кристаллов являлся дендритный рельеф поверхности. Дендритные формы роста первичного цементита наблюдались и ранее [11]. Предполагалось [11 ], что формирование пластины происходит путем роста плоского дендрита соответствующей толщины и завершается при смыкании ветвей третьего порядка. В действительности пластина образуется в ходе послойного роста, причем нарастающие друг на друге слои развиваются в форме дендритов. Исследование монокристаллов под бинокулярным микроскопом позволило зафиксировать разнообразные картины послойного нарастания (рис. 7). Обычно растущий слой состоит из системы параллельных полос (по-видимому, ветвей 2-го порядка), разделенных границами с зубчатой конфигурацией. Хотя направление роста новых ветвей может не совпадать с направлением нижележащих, кристаллографическая ориентация всех слоев одинакова — об этом говорит однонаправленность зубчатых контуров любых систем ветвей в одном кристалле. Детальное исследование зубчатых контуров ветвей обнаруживает их ступенчатое строение, непосредственно иллюстрирующее блочный характер роста ветви. На фрактограммах, как и на снимках поверхности кристаллов, можно наблюдать рельефную дендритную структуру. На рис. 8, а показаны обе поверхности раскола одной цементитной пластины. Если на сколе приготовить микрошлиф и подвергнуть его электролитической обработке, то выявляемая блочная субструктура ориентирована вдоль зубцов (рис. 8, б). Схема иллюстрирует механизм формирования дендрита. Рост дендритных ветвей идет путем последовательного развития блоков. В связи с накоплением примесей перед фронтом  [c.179]


Подобный механизм обеспечивает не только возникновение плоского мартенситного зародыша, но и его рост. По имеющимся опытным данным, краевой рост зародыша (в плоскости габитуса) происходит со скоростью распространения пластической деформации (около 5 кмкек для стали [29]), а боковой рост (перпендикулярно плоскости габитуса) — со значительно меньшими скоростями (около 0,1 км сек [30]), так как он происходит путем послойного вовлечения решетки исходной фазы.  [c.18]


Смотреть страницы где упоминается термин Механизм роста послойный : [c.20]   
Основы материаловедения и технологии полупроводников (2002) -- [ c.184 ]



ПОИСК



Механизм роста

Рост пор



© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте