Волновод симметричный трехслойный ограничения

Рис. 2.6.13. Зависимость коэффициента оптического ограничения для основноа моды от толщины активного слоя в GaAs—A] Gai As симметричном трехслойном плоском диэлектрическом волноводе, а — зависимость Г от d в области изменения d от 0,05 до 2,0 мкм б— зависимость Г от d в области изме-иення d от 0,0 до 0,1 мкм.

В 6 асимметричный трехслойный плоский волновод рассматривается с точки зрения модели зигзагообразных волн. Дисперсионное уравнение для распространяющихся волн выводится в этой модели из рассмотрения отражения волны иа границе раздела диэлектриков. Это уравнение легко решается на ЭВМ как для симметричного, так и для асимметричного случаев. Приведенные примеры распределения электрического поля в симметричной структуре на основе GaAs—AUGai-. As дополнены данными для асимметричного волновода. По мере того как волновод становится все более асимметричным, коэффициент оптического ограничения уменьшается, и при малом скачке показателя преломления на одной из границ будет существовать такое значение толщины активного слоя, соответствующее этому скачку, при KOTopoivf будут выполняться условия отсечки и для основной моды. [c.34]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...