Схема интегрально-оптоэлектронная

Обозначения условные графические в электрических схемах. Интегральные оптоэлектронные элементы индикации. [c.95]

Единая система конструкторской документации ОБОЗНАЧЕНИЯ УСЛОВНЫЕ ГРАФИЧЕСКИЕ В ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СХЕМАХ. ИНТЕГРАЛЬНЫЕ ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ ИНДИКАЦИИ [c.1487]

Интегрально-оптоэлектронные схемы — классификация и принципы построения 159 [c.18]

Интегрально-оптоэлектронные схемы на проводящих подложках 164 [c.18]

Настоящий стандарт распространяется на электрические схемы, выполняемые вручную или автоматизированным способом, и устанавливает правила построения условных графических обозначений (далее — УГО) интегральных оптоэлектронных элементов индикации. [c.1487]

Произведение мощности на ширину полосы пропускания является важным параметром, используемым при разработке интегральных схем со сверхвысокой степенью интеграции. Это произведение также позволяет проводить сравнение оптоэлектронных логических матриц со всеми существующими электронными логическими матрицами. В последних подразделах данного раздела будет показано, что для фиксированных чувствительности фотодетектора, полосы частот и частоты появления ошибок произведение коэффициентов объединения по входу и разветвления по выходу для волоконно-оптической логической матрицы связано с мощностью входного сигнала. В дополнение к этому будет показано, что произведение этих коэффициентов оказывается связано с общим числом межэлементных соединений и производительностью системы. По этим причинам коэффициенты разветвления и объединения имеют критические значения. На рис. 9.4 показан пример соединения волокон встык, что позволяет реализовать высокие коэффициенты объединения по входу и разветвления по выходу либо в одном каскаде, либо в древовидной структуре. Данная методика была специально разработана для того, чтобы сделать. возможной реализацию больших волоконно-оптических логических матриц [12]. В случае необходимости разветвления волокна одиночное волокно большего диаметра служит источником, освещающим жгут волокон, имеющих маленький диаметр. Таким образом, свет от толстого волокна распределяется по всем тонким волокнам. Исходя из предположения о том, что величины угловых апертур тол- [c.245]

Учитывая тенденции развития современной электронной техники, можно достаточно надежно прогнозировать, что в ближайшем будущем все большее значение будут приобретать многослойные гомо- и гетеро-эпитаксиальные композиции с постоянно уменьшающимися толщинами отдельных слоев, с резкими /(- -переходами и межфазными границами, с заданным (в ряде случаев достаточно сложным) профилем легирования. Например, в современных ультрасверхбольших интегральных схемах (УСБИС) размеры рабочих элементов давно уже вышли на субмик-ронный уровень, а толщины активных слоев в современных оптоэлектронных приборах (например, в лазерных структурах с квантовыми ямами) уменьшились до нанометровых значений. В этих условиях основной тенденцией в развитии технологии эпитаксиального наращивания должно стать дальнейшее существенное снижение рабочих температур и повышение стерильности осуществления ростового процесса. [c.84]

Заманчивой альтернативой традиционным межсоединениям являются оптоэлектронные системы, обеспечивающие возможность генерации, модуляции, усиления, передачи, а также детектирования световых сигналов. Потенциальные возможности таких систем трудно переоценить. Элементарная ячейка монолитного оптоэлектронного устройства представляет собой результат интегрирования, в пределах одной пластины источника излучения, волновода и фотоприемника. Необходимым условием успешного использования оптоэлектронных устройств является их хорощее геометрическое и функциональное совмещение с элементами УСБИС. При этом технология их изготовления должна хорошо совмещаться с технологией изготовления самой интегральной схемы и необходимо максимально использовать хорошо отработанные процессы и оборудование кремниевых приборных производств [29]. [c.96]

Весьма заманчивые перспективы сулит твердотельной электронике и недавнее открытие полупроводниковых и металлических полимеров. В настоящее время химики научились делать полупроводниковые полимеры с различной шириной запрещенной зоны. Это создало предпосылки для развития дешевых технологий производства разнообразных, прежде всего, оптоэлектронных приборов. Сегодня на основе полимерных полупроводников создаются светодиоды, перекрывающие диапазон излучения от ИК- до УФ-области спектра полноцветные гибкие светоизлучающие дисплеи фотодетекторы, солнечные батареи и полевые транзисторы с параметрами на уровне соответствующих аналогов на основе аморфного гидрированного кремния. С умеренным оптимизмом оцениваются перспективы создания на основе металлических и полупроводниковых полимеров интегральных схем. Все это стимулирует расширение фронта работ по синтезу и исследованию свойств этих многообещающих материалов. [c.114]

Необходимость создания базовых блоков передатчиков, приемников, ретрансляторов ВОЛС, отвечающих требованиям высокоскоростных систем связи, привела к созданию схем, в которых электронные и оптоэлектронные компоненты технологически интегрированы на единой подложке интегрально-опто- [c.157]

Время пролета (time of flight) — время распространения сигнала от одного логического вентиля (интегральной схемы, оптоэлектронного компонента) до другого. [c.383]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...