Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

Накачка рекомбинационная

Рекомбинационная накачка — возбуждение уровней. в результате рекомбинации электронов и ионов в специально приготовленной плазме. При применении данного метода возбуждения неравенство (1.1.14) может не выполняться.  [c.13]

Плазменные лазеры (рекомбинационная накачка) 75  [c.75]

Классификация лазеров с учетом различных методов накачки. Традиционно лазеры классифицируют по типу активной среды, распределяя их по четырем основным группам газовые, жидкостные, твердотельные, полупроводниковые. Более точная классификация должна учитывать не только тип активной среды, но и используемый метод накачки. Подобная классификация приводится на рис. 1.3 ). В схеме на рисунке указываются типы накачки оптическая, с использованием самостоятельного электрического разряда, электроионизационная, тепловая, химическая, рекомбинационная. Эти типы накачки отмечались выше при перечислении физических механизмов возбуждения. Надо, однако, иметь в виду, что вопросы создания инверсии должны рассматриваться с учетом не только процессов возбуждения, но и процессов релаксации энергетических уровней.  [c.15]


Чем меньше тем выше скорость рекомбинации и, как следствие, эффективнее накачка. Легко видеть, что рекомбинирующая плазма должна характеризоваться достаточно высокой концентрацией электронов и в то же время достаточно низкой электронной температурой Те- Плазма в рекомбинационном режиме — это плотная, еысокоионизован-ная плазма, электроны которой ( .переохлаждены , так что выполняется неравенство  [c.76]

Происхождение лазерного резонанса можно объяснить следующим образом. Увеличение тока с некоторой задержкой приводит к росту концентрации носителей. Повышенная концентрация в свою очередь вызывает возрастание рекомбинационного излучения, которое, опять с задержкой, увеличивает индуцированную рекомбинацию, что приводит к падению концентрации носителей. Наличие задержек приводит к тому, что это падение проходит через равновесное значение и поцесс становится колебательным. Собственная частота системы /о зависит от оптической постоянной времени Тф и постоянной времени рекомбинации Тдп. Однако взаимодействие нелинейнб, так что анализ усложняется, а резонансная частота оказывается зависящей, как это видно из рис. 11.7, от того, насколько ток накачки превышает пороговое значение /цор. Приведенные графики можно аппроксимировать теоретической зависимостью  [c.300]


Смотреть страницы где упоминается термин Накачка рекомбинационная : [c.381]   
Физика процессов в генераторах когерентного оптического излучения (1981) -- [ c.13 , c.75 ]



ПОИСК



Л <иер накачкой

Плазменные лазеры (рекомбинационная накачка)



© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте