Переключение термомагнитное

Переключатель перекрестный волоконно-оптический 263 Переключение термомагнитное 36 Перекрестная сеть межэлементных соединений 240 Перенос заряда 86 ПЗС структура 76 [c.435]

Модуляторы с термомагнитным переключением [c.36]

При термомагнитном переключении используется чувствительность намагниченности в области больших температур. При определенной температуре, называемой температурой компенсации (рис. 1.16), правильным подбором состава граната даже возможно получить нулевую суммарную намагниченность. [c.36]

При температурах, больших температуры компенсации для указанного материала, максимальная намагниченность насыщения, как правило, очень мала по сравнению с полем анизотропии. Поле анизотропии в свою очередь при температуре компенсации становится бесконечно большим (оно определено как сила, действующая на намагниченность) и спадает, когда температура повышается (рис. 1.16). Этот эффект используется на практике для уменьшения разности Hk—Ais путем локального нагрева магнитооптического материала (термомагнитное переключение). [c.36]

С другой стороны, уменьшение размера ячеек приведет к увеличению скорости переключения, если полагать, что скорость движения магнитной доменной стенки не изменяется. В первом порядке приближения до тех пор, пока рассматривается время магнитного переключения, время переключения матрицы с заданной площадью не зависит от числа адресных шин или размера ячеек в матрице. Однако практически необходимо рассматривать дополнительные времена задержки в электронных управляющих цепях. Они не зависят от размера ячеек и суммируются в зависимости от числа адресных шин. Таким образом, поскольку требуется переключать довольно большие величины импульсных токов, то в конечном счете предельные времена переключения определит управляющая электроника. Заметим также, что, как и в случае модулятора с термомагнитным переключением, здесь следует учитывать [c.46]

Вследствие резкого снижения поля анизотропии в зависимости от температуры, характерного для подхода термомагнитного переключения, имеется больше возможностей для оптимизации параметров материала. Таким образом, основанные на термомагнитном переключении реальные модуляторы содержат большое количество висмута и соответственно обладают большей эффективностью модуляции света. [c.50]

Аналогичной разработкой, основанной на иной схеме переключения, является структура, названная создателями лайт-мод > [10, 11]. В зтом устройстве, чтобы избавиться от подачи тепловых импульсов, зарождение доменов с противоположным направлением намагниченности инициируется в ионно-имплантированных центрах. Переключение здесь достигается только приложением управляющего магнитного поля. Такой подход позволяет добиться больших скоростей переключения, чем при термомагнитном переключении. [c.15]

Рис. 169. Примеры термомагнитных эффектов, необращающихся (проводимость) и обращающихся (эффект Холла) при переключении магнитного поля Я на обратное. Пунктирной стрелкой обозначена траектория положительного носителя тока, искривление которой вследствие действия силы Лоренца (е/с) [v X Н] компенсируется полем Еу

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...