Диэлектрики активные управляемые

Диэлектрики активные управляемые 17 —гетерополярные 17 [c.357]

В большинстве случаев практики применяются пассивные диэлектрики (электрическая изоляция, диэлектрические волноводы, электрические конденсаторы). В последнее время широкое распространение получили активные (управляемые) диэлектрики, резко изменяющие свои свойства под действием внешних (управляющих) факторов (сегнетоэлектрики, пьезоэлектрики, электреты и др.). [c.545]

Наконец, к диэлектрическим материалам принадлежат и активные диэлектрики, т. е. диэлектрики с управляемыми свойствами сегнетоэлектрики, пьезоэлектрики, электреты. [c.126]

Активными — управляемыми — диэлектриками являются сегнетоэлектрики, пьезоэлектрики, пироэлектрики, электролюминофоры, материалы для излучателей и затворов в лазерной технике, жидкие кристаллы, электреты и др. [c.4]

При изменении температуры пластинки происходит изменение сразу нескольких параметров кристалла, от которых зависят коэффициенты Д и Т. Зависимость, вносяш,ую основной вклад в температурное изменение регистрируемого сигнала, назовем управляюш,ей функцией. Далее будет показано, что среди многих управляющих функций наиболее эффективны ехр(—а/г) и со8 2пкН). Первая из этих функций лежит в основе широко распространенного метода термометрии полупроводников по температурному сдвигу края межзонных оптических переходов [1.40]. При выполнении условия 0,2 аН 2 этот сдвиг обеспечивает высокую температурную чувствительность при регистрации отраженного или проходящего излучения. При аН <С 0,1 и аН > 3 чувствительность мала. На гармонической управляющей функции основан не менее распространенный метод лазерной интерференционной термометрии полупроводников и диэлектриков [1.43]. Здесь чувствительность также имеет максимум при определенной длине волны и падает как в длинноволновой, так и в коротковолновой областях спектра. Обе эти управляющие функции позволяют реализовать усиление изменений при малом относительном изменении температуры в и управляющего параметра а в) или п в) относительное изменение регистрируемой интенсивности света оказывается не малым. Двухступенчатое преобразование изменений температуры в регистрируемый сигнал (в данном случае сигналом является изменение интенсивности света после взаимодействия с пластинкой) характерно для активной оптической термометрии и, по-видимому, не характерно для традиционных методов (это проявляется в том, что отсутствует возможность усиливать или ослаблять коэффициент преобразования К = Д2/Д0 путем выбора условий считывания сигнала). [c.21]

Рис. 1.53а, Схема Шипмана. I— заксиальные кайеди, г — управляемые разрядники из твердого диэлектрика, 3 — верхние металлические пластины, заряжаемые до высокого напряжения, 4 —активная среда, 5 — диэлектрик, 5 — вынужденное излучение, 7 — нижняя металлическая пластина, соединенная с землей, 8 — поджигающее устройство.

Диэлектрики по способу использования подразделяются на активные - с управляемыми свойствами, и электроизоляционные. Активные диэлектрики по их элеетрофизическим свойствам, определяющим применение, можно разделить на сегнетоэлектрики -позволяющие управлять своей диэлектрической проницаемостью пьезоэлектрики - преобразующие механическую энергию в электрическую и обратно пироэлектрики - преобразующие тепловую энергию в электрическую и обратно электреты - источники электрического поля активные элементы оптических устройств -активные среды лазеров, жидкие кристаллы и др. [c.664]

Явление электрооптического эффекта в активных диэлектриках использовано в решеточных дифракционных дефлекторах. На поверхность волноводного слоя наносится гребенка из встречно-штыревых электродов, к Которым прикладывается управляющее напряжение, изменяющее значение показателя преломления волновода и тем самым создающее электрооптическую фазовую решетку. При выполнении условий фазового синхронизма в зависимости от параметров решетки встречно-штыревых электродов наблюдается дифракция в режиме Брэгга или Рамана — Ната (рис. 8.4, б). Эффективность дифракции на электроопти-ческой фазовой решетке определяется аналогично выражению (8.23). Интеграл перекрытия полей волноводной моды и электрического поля в электродной системе [7] [c.151]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...