Открытие фотоэлектрического эффекта

ОТКРЫТИЕ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ЭФФЕКТА [c.477]

Открытие фотоэффекта. Гипотеза Планка о квантах послужила основой для объяснения явления фотоэлектрического эффекта, открытого в 1887 г. немецким физиком Генрихом Герцем. [c.299]

Явление внешнего фотоэффекта было открыто немецким физиком Г. Герцем в 1887 г. Схема соответствующего основного опыта была впервые осуществлена русским физиком А. Г. Столетовым в 1888 г. [51, который фактически создал первый в мире газонаполненный фотоэлемент, основанный на явлении внешнего фотоэлектрического эффекта [6]. Этот прибор был одним из первых селективных приемников излучений и в большой мере способствовал становлению оптико-электронного приборостроения как самостоятельной области техники и науки. [c.352]

Выход электронов наблюдается и при освещении металлов. Это явление называют фотоэлектрическим эффектом. Оно было открыто в 1887 г. Г. Герцем и изучено подробно А. Г. Столетовым. Наиболее активные металлы (щелочные) дают этот эффект даже при освещении их лучами видимого света. Менее активные металлы испускают электроны только под действием лучей, более богатых энергией (ультрафиолетовых). На фотоэлектрическом эффекте основаны фотоэлементы — приборы, позволяющие превращать световую энергию в электрическую. Им предстоит большое будущее (рис. 2). [c.29]

Стимулом к созданию новых фотоэлектрических приемников послужило открытое У. Смитом в 1873 г. явление, при котором в результате поглощения излучения снижается электрическое сопротивление материала без изменения его температуры. Это явление получило название эффекта проводимости, или внутреннего фотоэффекта. Смит обнаружил, что при облучении светом селеновой пластинки ее электрическое сопротивление уменьшается. Указанное открытие вызвало в XX в. бурное развитие фотоэлектрических приемников с внутренним фотоэффектом, получивших в дальнейшем название фотосопротивлений, что, в свою очередь, было новым качественным скачком в развитии приемников излучений и привело к появлению ряда оптико-электронных приборов различного назначения. [c.382]

Открытие фотографии и ее успехи сыграли решающую роль в исследовании ультрафиолетовых лучей, ибо фотографическая пластинка оказывается к ним весьма чувствительной. Исследование ультрафиолетового излучения удобно также производить по его сп Усоб-ности возбуждать свечение многих тел (флуоресценция и фосфоресценция) и вызывать фотоэлектрический эффект. Фотографировать можно также и инфракрасное излучение, применяя особым способом обработанные фотопластинки (сенсибилизация, см. гл. XXXV). Таким путем удается, однако, дойти лишь до 1= 1,2—1,3 мкм. Значительно дальше простирается чувствительность к инфракрасным лучам у современных фотоэлементов и фотосопротивлений, с помощью которых можно регистрировать инфракрасное излучение примерно до 100 мкм. Используя влияние инфракрасных лучей на яркость фосфоресценции (см. гл. XXXVIII), удалось исследовать область спектра до 1,7 мкм. Однако тепловой метод, применимый для любой длины волны, является и доныне весьма распространенным при работе с инфракрасным излучением, особенно для длин волн больше 2 мкм. Конечно, при этом применяются весьма чувствительные термометры, особенно электрические (сверхпроводящие и обычные болометры и термопары), позволяющие констатировать подъем температуры на миллионную долю градуса (10 К). [c.401]

Эйнштейну в 1921 г. была присуждена Нобелевская премия за заслуги перед теоретической физикой, в особенности за открытие закона фотоэлектрического эффекта . Заметим, что к тому времени уже были получены первые экспериментальные подтверждения общей теории отпосительпости (в 1919 г. во время полного солнечного затмения было обнаружено предсказанное этой теорией искривление лучей света, проходивших вблизи Солнца, под действием его гравитационного ноля). [c.18]

Согласно Вонсовскому обе группы указанных явлений обязаны своим существованием обменному взаимодействию 5 и -электронов в ферромагнетиках (см. 1). Теоретические расчеты приводят к квадратичной зависимости электрических явлений от самопроизвольной намагниченности. Этот вывод справедлив не только для рассмотренных выше аномалий электропроводности и термоэлектродвижущей силы ферромагнитных металлов, но также и других явлений, обусловленных обменным взаимодействием 5- и -электронов. К ним, например, принадлежит недавно открытая аномалия в температурной зависимости фотоэлектрического эффекта у никеля. На рис. 122 приведена кривая фотоэлектрического эффекта никеля при температурах вблизи точки Кюри по данным Кардвелла [33]. Здесь, как и в случае электросопротивления, наблюдается излом кривой фототок — температура, обусловленный исчезновением самопроизвольной намагниченности. Вонсовский и Соколов [34] показали, что величина этой аномалии фототока также квадратично зависит от самопроизвольной намагниченности. [c.224]

Концепция предлагаемой СЭС основана на сравнительно недавнем открытии в России (ФТИ им.А.Ф.Иоффе), заключающемся в том, что при рабочей температуре полупроводниковых арсенид-галлиевых преобразователей около ИО С, сохраняется эффект повыщецного фотоэлектрического кпд (>20%) при стократном (и выше) концентрировании солнечной энергии. [c.232]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...