Фотодиоды для длинноволнового диапазона

Кремниевые фотодиоды не вполне пригодны для более длинноволнового диапазона 1300 нм и 1550 нм. В этом диапазоне используются германий (Ge) и индий-галлий-арсенид (InGaAs). Фотодиод pin-типа на основе InGaAs имеет достаточно широкую область высокой чувствительности. Данный материал не образует ярко выраженный пик на кривой чувствительности, как кремний. В диапазоне от 900 до 1650 нм его чувствительность не опускается ниже 0.5 А/Вт, что позволяет использовать его как для длины волны 1300 нм, так и для 1550 нм. На рис. 9.4 представлены типичные кривые чувствительности для различных фотодиодов. [c.125]

Фотоэлектрические П. о. и. непосредственно преобразуют эл.-магн. энергию в электрическую. Их разделяют на П, о, и, с внеш. и внутр. фотоэффектом. К ним относятся фотоэлементы, фотоэлектронные умножители, фоторезисторы, фотодиоды, электронно-оптические преобразователи, П. о. и, с фотоэлектро-магн. эффектом, квантовые усилители оптич. диапазона. Эти П. о. и. селективны, и их реакция зависит от величины энергии отд. поглощённых квантов. Спектральная хар-ка П. о. и. с внеш. фотоэффектом имеет характерную длинноволновую (красную) границу в области 0,6—1,2 мкм, определяемую природой в-ва чувствит. элемента приёмника (см. Работа выхода). Фотоэлектрич. П. о. и. с внутр. фотоэффектом в зависимости от типа чувствительны и в далёкой И К области спектра (до 10—30 мкм). Порог чувствительности П. о. и. с внеш. фотоэффектом может быть доведён до 10-12—10-15 Вт/Гц при постоянной времени 10 с. Порог чувствительности т. н. счётчиков фотонов (полупроводниковых лавинных фотодиодов) ещё выше — до 10 Вт/Гц Предельная чувствительность фоторезисторов 10 — 10Вт/Гц при постоянной времени 10 —10 с. [c.586]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...