Газовые лазеры с широкополосной оптической накачкой

Что же касается обычной некогерентной (широкополосной) оптической накачки, то она в случае газовых лазеров должна представляться, очевидно, крайне малоэффективной. Вследствие узости линий поглощения частиц газа лишь ничтожная доля световой мощности источника накачки будет в данном случае использоваться для возбуждения активных центров основная же часть падающей на активную среду световой мощности будет бесполезно расходоваться на нагревание газа и окружающих предметов. Именно поэтому широкополосная оптическая накачка в случае газо- [c.41]

В гл. 1 мы показали, что процесс, который переводит атомы с уровня 1 на уровень 3 (для трехуровневого лазера см. рис. 1.4, а) или с уровня О на уровень 3 (для четырехуровневого лазера см. рис. 1.4,6), называется накачкой. Накачка осуществляется, как правило, одним из следующих двух способов оптическим или электрическим. При оптической накачке излучение мощного источника света поглощается активной средой и таким образом переводит атомы активной среды на верхний уровень. Этот способ особенно хорошо подходит для твердотельных (например, для рубинового или неодимового) или жидкостных (например, на красителе) лазеров. Механизмы ушире-ния линий в твердых телах и жидкостях приводят к очень значительному уширению спектральных линий, так что обычно мы имеем дело не с накачкой уровней, а с накачкой полос поглощения. Следовательно, эти полосы поглощают заметную долю (обычно широкополосного) света, излучаемого лампой накачки. Электрическая накачка осуществляется посредством достаточно интенсивного электрического разряда, и ее особенно хорошо применять для газовых и полупроводниковых лазеров. В частности, в газовых лазерах из-за того, что у них спектральная ширина линий поглощения невелика, а лампы для накачки дают широкополосное излучение, осуществить оптическую накачку довольно трудно. Замечательным исключением, которое следует отметить, является цезиевый лазер с оптической накачкой, когда пары s возбуждаются лампой, содержащей Не при низком давлении. В данном случае условия для оптической накачки вполне благоприятны, поскольку интенсивная линия излучения Не с 390 нм (достаточно узкая благодаря низкому давлению) совпадает с линиями поглощения s. Фактически этот лазер представляет интерес лишь в историческом плане, как одна из первых предложенных лазерных схем. Кроме того, его реализация на практике является весьма сложной, поскольку пары s, которые для обеспечения достаточного давления газа необходимо поддерживать при температуре 175 °С, представляют собой весьма агрессивную среду. Оптическую накачку весьма эффективно можно было бы использовать для полупроводнико- [c.108]

Возможность широкополосной оптической накачки в газах фотодиссоционные лазеры. Исключением из правила являются газовые среды, oдepжa- щие молекулы, которые диссоциируют под действием излучения. Дело в том, что связанный с фотодиссоциацией спектр поглощения молекул в газе имеет непрерывный характер и по ширине обычно не уступает спектрам поглощения твердых и жидких активных сред. Обратимся в этой связи к рис. 1.24. [c.42]

Среди продуктов диссоциации молекулы по крайней мере один оказывается в возбужденном состоянии (Л ) и может быть использован для получения лазерной генерации. Таким образом, широкополосная оптическая накачка в газовых лазерах оказывается возможной при использовании фотодиссоциации молекул в качестве промежуточного процесса ). Такие газовые лазеры я зыъзюп тодиссоцтнными. [c.43]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...