ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Импульсное лазерное возбуждение и релаксация электронной подсистемы полупроводникового кристалла из "Физика мощного лазерного излучения " Первичный акт поглощения энергии импульса оптического возбуждения происходит в электронной подсистеме, поэтому сначала возникает сильное разли Ше между электронной температурой и температурой решетки Т. Процесс передачи и термализации энергии в решетке включает в себя целый ряд этапов релаксации как внутри электронно-дырочной подсистемы, так и электрон-фононной и фонон-фононной релаксации. [c.143] Наиболее наглядно можно представить себе последовательность преобразования энергии оптического возбуждения в полупроводнике, если обратиться к картине поглощения им фемтосекундного лазерного импульса. При длительности поглощенного импульса Гр 10 с = 100 фс основные этапы преобразования его энергии будут разворачиваться уже после прекращения его действия. [c.143] Схематически процесс трансформации поглощенной энергии такого короткого импульса можно разбить на следующие стадии (табл. П.З). [c.143] НЫХ и поперечных оптаческих (ГО, ЬО) фононов и затем продольных и поперечных акустических ТА, ЬА) фононов выравнивание температур плазмы и решетки. [c.144] Стадии 3 4 сопровождаются также усиленной диффузией носителей в области кристалла, не подвергнутой действию лазерного импульса. [c.144] Вернуться к основной статье