Сильное обогащение и сильная инверсия

Рис. 1.2, Типы ОПЗ в кристалле п-типа обогащение (о) обеднение и инверсия (б). Цифрами обозначены границы ОПЗ (1), слабой инверсии (область 2-3), сильной инверсии (3)

I.2.J. Сильное обогащение и сильная инверсия. Для определенности рассмотрим материал -типа. Воспользовавшись аппроксимацией функции F(X,Y) (см. табл.1.2) и проинтегрировав (1.13) получим для сильного обогащения [c.23]

Численный расчет по этой формуле при Ys Ю и z/Ld = 0,1 дает У = 5 и, следовательно, на расстоянии всего 0,11д от поверхности величина У уменьшается на 5. Очевидно, слой сильного обогащения характеризуется очень малой толщиной. Поскольку в режиме сильной инверсии функция ДХ, У) имеет приблизительно такой же вид, как и в случае сильного обогащения, этот вывод сохраняет силу и для слоев сильной инверсии. [c.23]

В режимах сильного обогащения (или сильной инверсии) величины избытков основных (неосновных) носителей заряда экспоненциально растут пропорционально (или При истощающих и инверсионных изгибах зон избытки основных носителей стремятся к предельному значению, соответствующему полному вытеснению основных носителей заряда из ОПЗ. Для неосновных носителей быстрый рост избытков начинается при возникновении слоя сильной инверсии ( У5 > 2 1п 1 ). [c.25]

В слоях обогащения и сильной инверсии емкость ОПЗ экспоненциально растет с увеличением 1 51 ( или , соответст- [c.27]

Рис. 1.7. Зависимости фотоэдс от уровня инжекции по основным носителям заряда для р-кремния а) обогащение, любые X > 1 б) обеднение и инверсия, 10 — сплошные кривые, X = Ю — пунктирные кривые. Параметр кривых — исходный изгиб Зон. Штрих-пунктирные прямые — аппроксимации (1.35) и (1.36) для режимов сильного обогащения и сильной инверсии, соответственно

Обратим внимание на интересную особенность фотоэдс ОПЗ в режимах сильного обогащения и сильной инверсии — величина ее, независимо от уровня инжекции, автоматически поддерживается такой, чтобы расстояние между краем соответствующей разрешенной зоны [c.34]

Поскольку в режимах сильного обогащения и сильной инверсии е. Г (или Гу,) — см.(1.10) и (1.19), то из (2.8) следует, что в области высоких полей Г ", Г ,". При уменьшении зависимость поверхностной подвижности от Г (Г ,) становится более слабой. [c.52]

ОПЗ, не соприкасающихся с поверхностью и сохраняющих объемную подвижность. Поэтому при г < 0,01 эффективная подвижность носителей заряда в ОПЗ при небольших изгибах зон близка к объемной. Однако, в слоях сильного обогащения и сильной инверсии ширина ОПЗ экспоненциально уменьшается с ростом поверх- [c.53]

Поверхностные слои сильного обогащения и сильной инверсии [c.131]

Как следует из табл. 1.3, эффективная ширина ОПЗ при малых изгибах энергетических зон равна дебаевской длине экранирования. Для слоя истощения получается такой же, как в (1.15). Эффективная ширина слоев сильного обогащения или сильной инверсии может быть значительно меньше например, если при сильном обогашении 1 = 10, то = Ю д. При таком же значении истощенный слой имеет ширину lVe/= tVd= 6,3 Lp. [c.27]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...