Перестройка дисперсионных кривых при переходе через критическую температуру

Перестройка дисперсионных кривых при переходе через критическую температуру. В предыдущих разделах этого параграфа исследовалось прохождение света фиксированной частоты через кристалл при определенной температуре. Было показано, что в области резонанса при очень низкой температуре интенсивность поглощения света в кристаллах с широкими экситонными зонами зависит от толщины кристалла не по экспоненциальному закону. При повышении температуры или при удалении от резонанса изменение интенсивности определяется экспоненциальной функцией. Теперь мы исследуем более детально условия перехода от одного закона к другому при изменении частоты падающего света и температуры. При изложении мы будем следовать работе Мясникова и автора [373]. [c.472]

Энциклопедия по машиностроению XXL