Непрямые переходы при взаимодействии фотонов с экситонами

В заключение этого параграфа рассмотрим влияние непрямых переходов на зависимость от температуры моментов кривой поглощения. При непрямых переходах поглощение фотона сопровождается одновременным рождением экситона и фонона. В этом случае взаимодействие внешнего поперечного электромагнитного поля с оптически изотропным кристаллом с изолированной экситонной полосой описывается гамильтонианом [c.446]

Исследуем непрямые переходы в кристаллах с одной молекулой Б элементарной ячейке при слабой связи экситонов с фононами молекулярного кристалла в случае, когда можно пренебречь многофононными процессами. Оператор взаимодействия фотонов с молекулами кристалла можно записать в узельном представлении [c.378]

Непрямые переходы при взаимодействии фотонов с экситонами. Исследованная в предыдущем параграфе полоса поглощения света Б кристаллах обусловлена прямыми переходами фотонов в экситоны. При прямых переходах смещение резонансной частоты и расширение полосы поглощения обусловлены изменением (из-за взаимодействия экситонов с фононами) закона дисперсии экснтонов и их временем жизни. Наряду с прямыми переходами возможно поглощение света кристаллом при непрямых переходах, когда одновременно с экситоном рождается один или несколько фононов. [c.378]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...