Эффективная глубина проникновения тока и глубина проникновения волны

Эффективная глубина проникновения тока и глубина проникновения волны [c.59]

В ИК-области, когда б = с/Ыр, нелинейные изменения происходят при 1Р18л й Nm , когда носителей в скин-слое толщиной с/Шр не хватает для переноса тока даже при их движении со скоростью, близкой с. В результате глубина проникновения поля увеличивается (чтобы повысить число носителей) до необходимой для поддержания тока б = H/inNe. В области высоких частот ш Шр толщина скин-слоя в плазме может как уменьшаться, так и возрастать в зависимости от знака нелинейного вклада в диэлектрич. проницаемость. В Отличие от линейного режима, в случае нелинейного С.-э, при медленном увеличении напряжённости поля оно, начиная с аек-рой пороговой амплитуды, проникает в глубь плазмы на расстояние, определяемое диссипативным затуханием. (Это происходит при положит, нелинейном вкладе.) В случае достаточно слабой диссипации нелинейное проникновение поля в плазму может носить характер гистерезиса, т. е. зависеть от предыстории процесса. Напр., для плазменного слоя конечной толпщны эффективность Т проникновения эл.-магн. волны через слой, измеряемая отношением потоков энергии после слоя и перед ним, является неоднозначной ф-цией интенсивности падающей волны / (как схематически показано на рис.). [c.542]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...