ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Эффекты задержки глубокого субмикрона из "Проектирование на ПЛИС архитектура, средства и методы " Эффекты, свойственные линии передачи, не проявляют себя на уровне кремниевого кристалла, но в больших субмикронных устройствах, как будет показано ниже, задержки этого типа уже начинают играть значимую роль. [c.351] В больших устройствах, изготовленных по технологии глубокого субмикрона, скорость передачи сигналов и относительно длинные дорожки приводят к возникновению некоторых эффектов, характерных для линий передач. Однако резистивная природа внутрикристальных соединений не подвержена чистым L -эффектам. Поэтому внутренние проводники таких микросхем могут быть описаны с помощью RL -модели (Рис. Б.9). [c.351] Вернуться к основной статье