Дефекты влияние условий выращивания

По всей видимости, наиболее прямой путь изучения вопросов введения примесей заключается в измерении параметров растворимости по результатам легирования, полученным при равновесных или почти равновесных условиях. После этого можно попытаться сделать выводы о механизме введения примеси при температуре выращивания. Так как измерение электрических и оптических свойств обычно проводится при комнатной или более низкой температуре, а введение примесей происходит при температуре выращивания, полная характеристика процесса практически невозможна. Таким образом, должны приниматься в расчет эффекты, связанные с отжигом, такие, как реакции между различными дефектами и образование преципитатов при выращивании и охлаждении. Кроме того, если методика выращивания такова, что введение примесей происходит в условиях, далеких от равновесия, то равновесные свойства могут лишь ориентировочно указывать на реальные свойства. Влияние примесей на электрические и оптические свойства было рассмотрено в 3, 5 гл. 2, 5, 7 гл. 3 и 3 гл. 4. [c.110]

Таким образом, дефектообразование при распаде пересыщенных твердых растворов избыточных компонентов носит достаточно сложный характер и может сопровождаться появлением в кристаллической решетке соединения микродефектов различной природы. В связи с тем, что существенные пересыщения в твердых растворах избыточных компонентов достигаются при относительно невысоких температурах (в сравнении с пересыщением по равновесным собственным дефектам), образующиеся при их частичном распаде в процессе посткристаллизационного охлаждения монокристалла микродефекты должны иметь существенно меньшие размеры. Тепловые условия выращивания (в первую очередь темп охлаждения выращиваемого кристалла) должны оказывать существенное влияние на характер микродефектообразования. Последующие термообработки таких кристаллов могут приводить к укрупнению микродефектов и изменению их объемной концентрации. [c.58]

Однако доменная структура, отвечающая предсказаниям теории для идеального С., практически никогда не наблюдается. При образовании доменной структуры важную роль играет предыстория образца, напр. условия прохождения через точку Кюри У в неравновесных условиях при первом охлаждении кристалла после его выращивания при повыш. темц-рах (см. Гистерезис сезнетоэлектрический), а также дефекты кристаллич. структуры. Кроме того, во многих С. на характер доменной структуры сильное влияние оказывает экранирование электрич. поля за счёт перераспределения свободных носителей заряда и перезарядки локальных центров (см. Сегнетополупроводпики). [c.478]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...