Гибридизация параметр, степень

Можно предположить, что найденная зависимость 6 .=/( v ) определяется изменением степени перекрывания волновых функций орбит электронов неподеленной пары Ч (X) и Is-электрона при изменении параметра гибридизации Действительно, если построить зависимость (X) [ ] от = для межъядер- [c.344]

Исследования спиновых центров на атомарно-чистых поверхностях Si и Ge дали полезную информацию о гибридизации поверхностных атомов. К сожалению, они относятся только к поверхностям раскола, т.е. к граням (ill). Другие плоскости не изучались. В литературе имеются данные о парамагнитных центрах на поверхностях раскола кристаллических модификаций Si02, где также обнаружена регибридизация связей Si. Из-за больших ширин линий с размытой СТС менее информативны данные ЭПР для ряда соединений AIIIbv Этим, по-видимому, и исчерпывается на сегодняшний день перечень атомарно-чистых поверхностей полупроводников и диэлектриков, изученных методом ЭПР. Последнее в значительной степени связано с недостаточно высокой чувствительностью метода. По этой причине мало еще изучены температурные зависимости сигналов ЭПР и зависимости параметров линий от концентрации спиновых центров, что, как мы отмечали ранее, дало бы более полные данные о топографии спиновых центров и механизме их заполнения. Метод ЭПР не применим к атомарно-чистым поверхностям металлов, т.к. из-за их высокой электропроводности резко падает добротность резонатора. [c.157]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...