Материалы активных резисторов

Полупроводниковая интегральная микросхема представляет собой монолитное функциональное устройство, элементы которого изготовлены в одном объеме и (или) на поверхности полупроводникового материала. При создании микросхемы отдельным микроучасткам полупроводникового материала путем специальной обработки придают свойства, соответствующие функциям активных (диоды, транзисторы) и пассивных (резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности) элементов. Размеры элементов измеряются единицами и десятками микрометров. Все элементы, созданные в кристалле полупроводникового материала, электрически изолированы друг от друга. Их соединение осуществляют частично в объеме кристалла, частично на поверхности защитного слоя. [c.316]

Конструкция. Резистор КФ-508 (рис 126) состоит из трех самостоятельных элементов 5, соединенных последовательно. Элемент представляет собой металлический держатель 2, выполненный в виде желоба, на котором с двух сторон установлены ребристые стеатитовые изоляторы <3. В пазах изоляторов по винтовой линии расположены витки ленты 4, выполненной из жаропрочного материала с высоким активным сопротивлением марки Х13Ю4. К концам ленты припаяны латунью выводы 8. Уголки /, стянутые шпильками 7, образуют каркас, на котором размещены элементы Элементы изолированы друг от друга и от уголков фарфоровыми шайбами 6. [c.212]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...