Схемы фотометрические визуального

Рис. 434. Фотометрические схемы визуального исследования люминесценции

Из фотометрических схем люминесцентного анализа применяются преимущественно визуальные и фотоэлектрические. [c.570]

Из визуальных фотометрических схем чаще всего используются устройства (рис. 434), главная особенность которых заключается в том, что поле сравнения фотометра освещается от того же источника излучения, которым возбуждается люминесценция анализируемых проб (схемы б и в). Наилучшим способом компенсации [c.570]

Модификацией этого метода является автоколлимационный растровый способ измерения глубины неровностей. Схема растрового устройства показана на рис. 18. Растры 2 и 3 проектируются полупрозрачным, зеркалом 4, тубусной линзой 5 и объектом 6 па контролируемую поверхность 7. Растры расположены симметрично относительно фокальной плоскости F F. Шаг растров выбирают с учетом разрешающей способности микрообъектива 6. При точной фокусировке автоколимациониые изображения растров симметрично располагаются относительно рястра-ама-лизатора 8, причем их штрихи смещены на 1/2 шага относительно растра — анализатора 8. Поэтому в момент точной фокусировки в плоскости растра 8 устанавливается фотометрическое равновесие. При дефокусировке оно нарушается и регистрируется визуально или фотоприемником 9—12, как показано на рисунке. [c.75]

В схеме прибора предусмотрен ряд устройств для юстировки. Так, правильная установка образца, обеспечивающая выход и попадание зеркально отраженного пучка на приемник 10, достигается с помощью системы зеркал 11 и приемника 1, а установка приемника 8 в точку, где собираются отраженные от зеркала 7 лучи, осуществляется визуально с помощью оптического устройства 4, снабженного волоконной оптикой. В ряду приборов отметим установку [42], где реализован относительный метод измерения TIS, и измерение а проводится сравнением с эталонным образцом, среднеквадратичная шероховатость поверхности которого измерена с максимальной точностью. Установка для измерения TIS с фотометрическим шаром фирмы Балзерс схематично изображена на рис. 6.6, где излучение от Не—Ne-лазера 1, проходя прерыватель 2, ослабитель 3 и апертуру 4, падает на поверхность исследуемого образца 5. Зеркально отраженный поток выводится из фотометрического шара через отверстие 9. Интегральное значение рассеянного потока с детектора 8 поступает на синхронный усилитель 6, куда одновременно поступает опорный сигнал падающей интенсивности. Сигнал с синхронного усилителя пропорционален отношению /о//д, входящему в формулу (6.11). Измеренное значение а индицируется на цифровом вольтметре 7. Значения а порядка 0,5 нм были измерены с помощью описанной установки фирмы Балзерс в работе [37]. Как было показано в работе [30 ], метод позволяет проводить измерения а и не дает возможности определения параметров поверхности в плоскости (X, У). Это ограничение метода TIS было преодолено в приборе, в котором была обеспечена возможность измерения углового [c.237]

Экспериментальным исследованием погрешностей отечественных и зарубежных микропирометров установлено, что инструментальная погрешность микропирометра зависит от фотометрической погрешности и погрешности измерительного прибора. Анализ инструментальных погрешностей показал также, что классическая схема визуального пирометра не оставляет больших резервов для повышения его точности. По-видимому, единственным путем повышения воспроизводимости показаний промышленных приборов является переход на методы объективной пирометрии. Улучшение средств и методов градуировки, особенно при высоких температурах, может привести к значительному снижению основной погрешности пирометров с исчезающей нитью. Таблиц I. Библиография 5 назв. [c.477]

Кроме того, на оптической схеме должны быть обозначены положение действующих и апертурных диафрагм положение входного и выходного зрачков (при необходимости, например для визуальных систем) положение фокальных плоскостей, плоскостей изображения, плоскостей предмета (при необходимости, например для фото-, кинообъективов и объективов микроскопов) положение экранов, свегорас-сеивающих полостей и поверхностей (при необходимости, например для спектральных и фотометрических приборов). [c.425]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...