Влияние тока утечки р-я-перехода

В последние годы появилось сообщение о сильной взаимосвязи между ОДУ и процентом выхода годных биполярных и МОП-ИС [3.48 - 3.58]. Картина образования дефектов в ходе термообработок зависит также и от их числа и последовательности. Вредное влияние дефектов усиливается по мере увеличения сложности структуры и уменьшения размеров элементов ИС. В биполярных приборах они могут вызвать появление диффузионных каналов между областями эмиттера и коллектора и увеличение тока утечки перехода [3.50 - 3.52]. В МОП-приборах электрическая активность этих каналов сильно связана со степенью преципитации легирующей примеси. В литературе сообщалось об уменьшении времени релаксации МОП-конден-саторов, о неоднородностях темпового тока в ПЗС и нарушениях возможности перезаписи в динамических МОП-ОЗУ. [c.90]

Наличие на границах соединений (и в прилегающих к ним областях) пластин тех или иных дефектов может оказывать существенное влияние на электрофизические свойства многослойных композиций и рабочие характеристики создаваемых на их основе дискретных приборов и интегральных схем. С присутствием на границах соединения пластин тонких окисных слоев связано появление дополнительных потенциальных барьеров, существенно влияющих на характер прохождения тока в создаваемых / - -структурах. Возможные загрязнения поверхности соединения пластин электрически активными примесями являются причиной появления в многослойных композициях паразитных /(- -переходов, а также ловушек для носителей заряда. Дисперсные кислородсодержащие преципитаты в значительной мере определяют генерационно-рекомбинационные характеристики высокоомных рабочих слоев в силовых приборах и приводят, например, к возрастанию величин остаточных токов в полевых транзисторах. С наличием в области границ раздела дислокаций связано существенное увеличение токов утечки в биполярных транзисторах. Такого рода примеры можно было бы продолжить, но уже и так ясно, что успех в широкомасштабном внедрении многослойных структур, создаваемых методом прямого соединения пластин, в кремниевую микроэлектронику и силовую технику напрямую связан с их качеством. [c.82]

До сих пор предполагалось, что ток в вентиле через р-д-переход переносится только неосновными носителями заряда (дырками в нашем случае), инжектированными в базовую область. Однако в реальном р-п-переходе всегда имеются так называемые утечки тока р-п-пере-хода, из-за наличия которых ток через р-п-переход переносится основными носителями заряда (электронами в нашем случае). Характеристикой влияния тока основных носителей заряда на полный ток через р-п-переход служит коэффициент инжекции [c.60]

Обратный ток, несмотря на сравнительно незначительное его влияние на величину потерь в вентиле, нормируют, так как повышение значения /об свидетельствует об избыточном содержании посторонних примесей, неравномерности в структуре /7—л-перехода, загрязнении поверхности кристалла между контактными вольфрамовыми шайбами, вызывающем поверхностную утечку тока, и др. [c.101]

Наибольшее отрицательное влияние на параметры УСБИС оказывают межузельные дислокационные петли и поры, образование которых происходит при выращивании монокристаллов в условиях значительных отклонений от При этом скопления межузельных атомов влияют непосредственно на характеристики транзисторов, увеличивая токи утечки через /7-й-переход, а вакансионные поры ухудшают, в первую очередь, качество тонкого слоя подзатворного диэлектрика. [c.52]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...