Характеристики гетеропереходов

Рис. 9.11, Вольт-амперные характеристики гетероперехода

Несмотря на определенные трудности, современные технологические методы позволяют получать такие переходы. Для того чтобы гетеропереход обладал необходимыми характеристиками, кристаллические решетки полупроводников, на основе которых создается гетеропереход, должны иметь близкие параметры. [c.78]

В 3 ВЫВОДЯТСЯ выражения, описывающие гетеропереход в модели Андерсона, и они иллюстрируются на примере гетеропереходов р — N, п — Р, р Р и ti — N. Влияние градиента состава иа энергетическую зонную диаграмму рассматривается в 4. Выражения, описывающие поведение вольт-емкостных и вольт-амперных характеристик, выводятся в 5. Одним из наиболее важных свойств гетеропереходов является ограничение для носителей тока, создаваемое более широкозонным полупроводником. В 6 рассматриваются потенциальные барьеры, создающие ограничение для электронов и дырок, а также токи утечки через них. Экспериментальные результаты представлены в гл, 7. [c.220]

В отличие от традиционной Т. с. сканирующая Т. с. кроме энергетич. характеристики позволяет получить пространств. характеристики электронных поверхностных состояний. Она базируется на использовании сканирующеро туннельного микроскопа, где туннельный ток локализуется в области размерами порядка атомных. Это [юзволяет выявить расположение максимумов волновых ф-ций электронов относительно двумерной кристаллич. решётки поверхности образца. В многослойных плёнках, гетеропереходах, сверхрешётках и др. возможно также выявление и спектроскопия отд. компонентов. [c.173]

Из сказанного следует, что n-N и р-Р гетеропереходы ведут сй5я как омические резистивные элементы, а п-Р и p-N гетеропереходы имеют волы-амперную характеристику, подобную характеристике р-п гомоперехода [c.247]

Характеристики двойной гетероструктуры зависят от точности совпадения границ двух гетеропереходов, и поэтому для получения хороших приборов требуется точное согласование параметров кристаллических решеток в области перехода. Как показывают измерения, для GaAs/ GaAIAs может быть получено значение s порядка 10 м/с [c.251]

Для те1 еролазеров с использованием соединений А" В характеристики прибора, по всей видимости, зависят не только от разрыва энергетических зон Eg и скачка показателя преломления, но также и от структурного совершенства гетерограниц и эпитаксиальных слоев. Особенно важной проблемой является образование дефектов решетки вследствие несоответствия решб Ток полупроводников, составляющих гетеропереход. Эти дефекты, особенно дислокации, могут уменьшить эффективность излу-Чательной рекомбинации и, как описано в гл. 8, уменьшать срок службы прибора. В системах На основе соединений воз- [c.8]

Важнейшим свойством при рассмотрении гетеропереходов является з.ависимостъ Eg от состава. Как было показано в гл. 4, важное значение имеет не только разность энергий между потолком валентной зоны и наинизшим минимумом зоны проводимости. Характеристики гетеролазера могут зависеть и от расстояния между различными минимумами зоны проводимости. Таким образом, полезно знать зависимость положения Г-, Ь- и А -минимумов зоны проводимости от состава. Комбинируя элементы III и V групп, представляющие интерес, можно составить 18 тройных систем больше половины из них изучались экспериментально. Для большинства остальных, по всей видимости, твердые растворы не существуют в широком диапазоне. Зависимость ширины запрещенной зоны от состава для тройного твердого раствора Ад В1 л С или АСуВ1-у часто может быть представлена в виде [c.19]

НОЙ зоиы, определяемое выражением (3.7.2). Однако ни о каких исследованиях вли-яния высоких уровней инжекции на энергетическую зоиную диаграмму не сообщалось. Судя по характеристикам ДГС-лазеров при высоких уровнях инжекции, основные свойства гетеропереходов, по-видимому, сохраняются. [c.284]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...