Линии задержки и фильтры, использующие встречно-штыревые

Линии задержки и фильтры, использующие встречно-штыревые преобразователи [c.313]

Линии задержки и фильтры, использующие встречно-штыревые [c.403]

Частотная характеристика линии задержки на ПАВ в отсутствие ложных отражений практически полностью определяется встречно-штыревыми преобразователями. Зависимость затухания ПАВ от частоты обычно менее существенна. Тем не менее в высококачественных линиях задержки она должна приниматься во внимание, если времена задержки достаточно велики ( 100 мкс и выше). Типичные значения времен задержки в малогабаритных устройствах на ПАВ ограничены размерами кристаллических подложек и составляют 1—20 мкс ). Вблизи нижней границы этого диапазона линии задержки на ПАВ можно использовать как полосовые фильтры ), частотные характеристики которых определяются произведением двух ВШП. Если оба ВШП одинаковы, то результирующая частотная характеристика будет иметь максимум на центральной частоте ВШП, а относительная полоса пропускания будет равна 12М, где N — число пар электродов в каждом ВШП. Если резонансные частоты ВШП отличаются, то получающееся устройство эквивалентно радиотехническому фильтру из двух расстроенных контуров. [c.315]

Акустоэлектроника — относительно новая область физической акустики и электроники. Она объединя как фундаментальные вопросы акустики твердого тела, так лх многочисленные приложения, главным образом к системам. работки сигналов и физике твердого тела. Как самостоятельное направление акустоэлектроника оформилась к концу 60-х годов, хотя отдельные работы, посвященные различным аспектам применения акустических волн (главным образом объемных) в электронике, в частности в линиях задержки и электромеханических фильтрах, появлялись и раньше [1—3]. В этих традиционных приложениях использовались, однако, лишь два свойства акустических волн - малая скорость, составляющая лишь / 10 от скорости электромагнитных волн, и относительно низкое затухание на длину волны. Лишь с появлением эффективных методов возбуждения высокочастотных (от 10 М1Гк до 3 ГГц) поверхностных акустических волн (ПАВ), в особенности с изобретением встречно-штыревого преобразователя, позволяющего эффективно возбуждать и принимать ПАВ в пьезоэлектрических кристаллах, стало возможным говорить об акустоэлектронике в том широком смысле, в котором она понимается сейчас. Последнее обусловлено следующими особенностями устройств на ПАВ. Во-первых, это те же малая скорость и затухание поверхностных волн во-вторых, интегральность исполнения большинства устройств на ПАВ, позволяющая использовать для их изготовления готовую технологию, разработанную ранее для интегральных микросхем в третьих, доступность тракта ПАВ, энергия которых сосредоточена вблизи поверхности, и связанная с этим возможность эффективного управления характеристиками этих волн с помощью всевозможных электрических и механических внешних воздействий. Наконец, многие а кустоэлектронные устройства обладают поистине уникальными свойствами. Если еще учесть их хорошую воспроизводимость, высокую надежность, то всеобщий интерес к акустоэлектронике станет вполне понятным. Литература по акустоэлектронике весьма обширна. Ей посвящено свыше пяти тысяч оригинальных статей, множество обзоров (см., например, [4—81), несколько монографий [9—14] и специальных выпусков журналов [151, [16]. Мы, разумеется, не будем пытаться осветить все [c.305]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...