Растворение кристалла и образование ямок травления

Рис. 15.1. Преимущественное растворение кристалла с образованием ямки травления (а) и преимущественная реакция с образованием нароста (б) в точке пыхода дислокации

В реальных кристаллах образование элементарной ямки происходит на дислокации, поскольку вблизи дислокации понижается энергия удаления атома с поверхности твердого тела-Понижение энергии обусловлено искажениями решетки в зоне дислокации и присутствием примесей (не любых), снижающих поверхностную энергию вблизи выхода дислокации. При травлении все время идет образование зародышей растворения. Они растут, расширяясь вдоль поверхности и углубляясь. Так они достигают видимых под микроскопо.м размеров. Схема образования ямки на поверхности шлифа у дислокации показана на рис. 26, а распределение дислокаций на поверхности монокристалла кремния на рис. 27. [c.56]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...