Термометрия по комбинационному рассеянию света

Глава 7 ТЕРМОМЕТРИЯ ПО КОМБИНАЦИОННОМУ РАССЕЯНИЮ СВЕТА И ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ 7.1. Введение [c.181]

Термометрия по комбинационному рассеянию света [c.181]

Методы, основанные на комбинационном рассеянии света, эллипсометрии и тепловом расширении дифракционной решетки (естественной или искусственной), также значительно уступают интерференционной термометрии по чувствительности и помехозащищенности. По чувствительности ЛИТ полупроводников и диэлектриков на 2-ь4 порядка превосходит другие методы, основанные на регистрации отраженного, проходящего или рассеянного света. Выбор толщины пластинки и длины волны зондирующего света позволяет в пределах нескольких порядков изменять температурную чувствительность. Это свойство обусловлено двухступенчатым преобразованием изменений температуры в изменения интенсивности отраженного света. Такая схема позволяет управлять усилением преобразования, в отличие от многих методов, где преобразование является одноступенчатым, т. е. отражает только определенное свойство материала и не допускает усиления или ослабления коэффициента преобразования путем выбора условий считывания. [c.175]

Оптические схемы ряда методов лазерной термометрии (нелиней-но-оптических, по спектру комбинационного рассеяния света, по параметрам эллипса поляризации и т. д.) довольно сложны по сравнению со схемами традиционной термометрии. Тем не менее, сложные методы ЛТ применяются все чаще, поскольку позволяют проводить измерения в условиях, где традиционные и более простые методы неэффективны. [c.201]

При приближении частоты падающего света к максимуму полосы поглощения интенсивность комбинационного рассеяния резонансно растет (в сотни и более раз) [2.25, 2.26]. Резонансное КР широко применяется для исследования непрозрачных материалов (графита и т.д.). Для резонансной спектроскопии полупроводников методом КР необходим лазер, перестраиваемый по частоте. Величина стоксова сдвига при резонансном КР зависит от энергии кванта падающего света для монокристалла германия сдвиг увеличивается от i opt 1490 см до opt 1550 см при увеличении энергии кванта от 1,5 эВ (Л 830 нм) до 1,65 эВ (Л 750 нм) [2.27]. При фиксированной энергии кванта падающего света hv = 1,65 эВ) величина стоксова сдвига в области резонанса изменяется, как показали эксперименты с твердым раствором Gei aSix в диапазоне х = 04-0,14, от i/opt 1550 см до i opt 1000 см вследствие изменения ширины запрещенной зоны кристалла Eg = 0,805 - - 3,38ж. Поскольку ширина запрещенной зоны изменяется не только при изменении состава кристалла, но и при изменении температуры, возможно применение резонансного КР для термометрии. [c.52]

Метод термометрии на основе комбинационного (рамановского) рассеяния света (КРС), то есть неупругого столкновения фотонов с молекулами вещества и соответствующего смещения спеклра рассеянного излучения относительно частоты излучения лазера. Температура (вращательная или колебательная) каждой двухатомной или многоатомной фракции в газовой смеси определяется по интенсивности каждой компоненты рассеянного света. Рабочий диапазон температур, измеряемой с помощью КРС от 100 К (вращательные спектры КРС) до 6000 К и более (колебательные спектры КРС). Однако интенсивность спектра КРС очень низка, чго требует применения мощных лазеров. [c.94]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...