Фоточувствительные центры

Современный фотоэлемент представляет собой, как правило,стеклянный баллон, из которого откачен воздух. На одну из его стенок нанесен фоточувствительный слой, являющийся катодом. Роль анода выполняет металлическая пластинка небольших размеров в центре баллона. Между фотокатодом и анодом приложено питающее напряжение. При облучении фотокатода в фотоэлементе возникает ток, вызывающий сигнал на нагрузочном сопротивлении. Величина питающего напряжения зависит от конструкции фотоэлемента. [c.107]

В световом пере использован принцип распознавания взаимного расположения фоточувствительного датчика и перекрестья. Последнее постоянно индицируется на экран ЭЛТ в точке, которая известна ЭВМ. Датчик выполняют на основе волоконной оптики и снабжают фотоумножителем. Оператор подводит перо к перекрестью и нажатием кнопки открывает затвор пера. Когда точки перекрестья попадают в фотополе светового пера (рис. 10), фотоумножитель генерирует импульсы, по которым ЭВМ вычисляет величину рассогласования между центрами фотополя и перекрестья. Затем центр перекрестья совмещается с центром фотополя и в ЭВМ запоминаются новые координаты перекрестья. При даль- [c.27]

Нелегированный a-Si H имеет большую фотопроводимость в видимой области спектра. Фоточувствительность (отношение фотопроводимости к темновой проводимости) составляет 10 ... 10 . При легировании фотопроводимость возрастает, а фоточувствительность уменьшается. Аналогичные закономерности наблюдаются и в твердых растворах на основе a-Si H, которые обладают меньшей фотопроводимостью и фоточувствительностью, чем сам гидрированный кремний. При температурах выше комнатной основными центрами рекомбинации неосновных носителей заряда в аморфных гидрированных полупроводниках являются оборванные связи, концентрация которых в твердых растворах всегда больше, чем в a-Si H. Ширина оптической запрещенной зоны в аморфных гидрированных полупроводниках возрастает по мере увеличения концентрации в них водорода, и для a-Si H она составляет 1,6...1,8эВ. Введение в пленки a-Si H германия позволяет уменьшить эту величину до 1,0 эВ, а введение углерода и азота увеличить ее до значений 2,5...3,2эВ и 5 эВ соответственно. [c.103]

Примером устройств второй группы могут служить оптические системы, включающие источники света и светочувствительные приемники. В качестве источника света может быть использован лазер, а в качестве приемника — фотодиод. Материализация с их помощью одной из осей системы координат, связанной со столом продольно-фрезерного станка, представляется следующим образом. Лазерный источник света устанавливается вне станка, и его" луч направляется параллельно плоскости стола. На столе станка в специальном приспособлении помещается позиционно-чувстви-тельный фотоприемник (ПЧФ). С помощью приспособления ПЧФ выставляется так, чтобы ось лазерного луча попадала в центр фоточувствительной поверхности ПЧФ, о чем свидетельствует отсутствие напряжения на горизонтальных и вертикальных клеммах фотодиода. Любое изменение положения стола станка в пространстве приведет к смещению центра ПЧФ относительно лазер-656 - [c.656]

Координата энергетического центра светового пятна на фоточувствительном элементе координатного фотодиода, при которой фотосигнал равен пулю [c.21]

Расстояние между центрами двух соседних фоточувствительных элементов приемника излучения Расстояние между наименее удаленными друг от друга краями фоточувствительных элементов в многоэлементном приемнике излучения Отношение полуразности наибольшего и наименьшего значений параметра фоточувствительных элементов в многоэлементиом приемнике излучения к среднему значению этого параметра. [c.22]

Сигнал переменного тока с фотодетектора поступает на предварительный усилитель, а затем на фоточувствительный детектор, выходное напряжение которого пропорционально в пределах некоторого интервала расфокусировки а величине х со. Напряжение с выхода фазочувствительного детектора, усиленное сервоусилителем, поступает на электродвигатель. Двигатель, вращаясь, перемещает датчик до тех пор, пока фокус отраженного сигнала не переместится в центр диафрагмы модулятора. Многократное лрофилографирование дает семейство профилей, которое представ-,1яет собой каркасную поверхность контролируемой заготовки любого фасонного профиля. [c.362]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...