ОГС-лазеры (лазеры на односторонней гетероструктуре)

Лазер на односторонней гетероструктуре представляет собой гг —р — Р-структуру с молярной долей х арсенида алюминия в Р-слое, обычно равной 0,2—0,5, Скачок показателя пре- [c.87]

ЛАЗЕРЫ С ШИРОКИМ КОНТАКТОМ НА ОСНОВЕ ОДНОСТОРОННИХ ГЕТЕРОСТРУКТУР [c.188]

Рис. 1.2.1. Лазер на гомоструктуре (а) сколотые грани полупроводникового кристалла действуют как зеркала резонатора Фабри —Перо типичные значения длины и ширины 400 и 100 мкм соответственно. Лазер на односторонней гетероструктуре (б) толщина слоя р-ОаАз составляет 2 мкм. Лазер на двусторонней гетероструктуре (в) толщина активного слоя р-ОаАз обычно меньще 0,5 мкм.

Область пространственного заряда 241, 242, 270 Ограничение для носителй тока 280 ОГС-лазеры (лазеры на односторон-ней гетероструктуре) 19, 20, 87, 88 Оператор Гамильтона 146, 148 [c.296]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...