Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

ОГС-лазеры (лазеры на односторонней гетероструктуре)

Лазер на односторонней гетероструктуре представляет собой гг —р — Р-структуру с молярной долей х арсенида алюминия в Р-слое, обычно равной 0,2—0,5, Скачок показателя пре-  [c.87]

ЛАЗЕРЫ С ШИРОКИМ КОНТАКТОМ НА ОСНОВЕ ОДНОСТОРОННИХ ГЕТЕРОСТРУКТУР  [c.188]

Рис. 1.2.1. Лазер на гомоструктуре (а) сколотые грани полупроводникового кристалла действуют как зеркала резонатора Фабри —Перо типичные значения длины и ширины 400 и 100 мкм соответственно. Лазер на односторонней гетероструктуре (б) толщина слоя р-ОаАз составляет 2 мкм. Лазер на двусторонней гетероструктуре (в) толщина активного слоя р-ОаАз обычно меньще 0,5 мкм. Рис. 1.2.1. Лазер на гомоструктуре (а) сколотые грани полупроводникового кристалла действуют как зеркала резонатора Фабри —Перо типичные значения длины и ширины 400 и 100 мкм соответственно. Лазер на односторонней гетероструктуре (б) <a href="/info/69979">толщина слоя</a> р-ОаАз составляет 2 мкм. Лазер на двусторонней гетероструктуре (в) толщина <a href="/info/28906">активного слоя</a> р-ОаАз обычно меньще 0,5 мкм.

Область пространственного заряда 241, 242, 270 Ограничение для носителй тока 280 ОГС-лазеры (лазеры на односторон-ней гетероструктуре) 19, 20, 87, 88 Оператор Гамильтона 146, 148  [c.296]


Смотреть страницы где упоминается термин ОГС-лазеры (лазеры на односторонней гетероструктуре) : [c.220]    [c.947]    [c.445]    [c.37]    [c.181]    [c.20]   
Лазеры на гетероструктурах ТОм 1 (1981) -- [ c.19 , c.20 , c.87 , c.88 ]



ПОИСК



223 III односторонний

Лазер

Лазеры с широким контактом на основе односторонних гетероструктур

ОГС-лазеров в ДГС-лазерах



© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте