Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

Коэффициент усиления, зависимость от номинальной плотности тока

Рис. 7.4.7. а — зависимость коэффициента усиления на пороге генерации от толщины активного слоя б — зависимость коэффициента усиления от номинальной плотности тока. Линейная зависимость показана штриховой линией. На вставке показано соотношение между коэффициентом усиления и концентрацией инжектированных электронов [60].  [c.209]


Рис. 3.8.7. Зависимость рассчитанною по модели ГЛГ — МЭС коэффициента усиления (поглощения) от номинальной плотности тока, характеризующей Рис. 3.8.7. Зависимость рассчитанною по модели ГЛГ — МЭС <a href="/info/14517">коэффициента усиления</a> (поглощения) от <a href="/info/412639">номинальной плотности тока</a>, характеризующей
Рис. 3.8.3. Зависимость коэффициента усиления от номинальной плотности тока при рекомбинации в GaAs с указанными на рисунке концентрациями примесей. Сплошными линиями показаны результаты для модели хвостов зон Гальперина —Лэкса [10], штрихпунктирными — результаты для параболических зон [8] и штриховыми—результаты для модели хвостов зон Кейна, полученные при использовании матричного элемента для параболической зоны и примесного уровня [9]. Рис. 3.8.3. <a href="/info/408365">Зависимость коэффициента усиления</a> от <a href="/info/412639">номинальной плотности тока</a> при рекомбинации в GaAs с указанными на рисунке концентрациями примесей. <a href="/info/232485">Сплошными линиями</a> показаны результаты для модели хвостов зон Гальперина —Лэкса [10], штрихпунктирными — результаты для параболических зон [8] и штриховыми—результаты для модели хвостов зон Кейна, полученные при использовании <a href="/info/188438">матричного элемента</a> для параболической зоны и примесного уровня [9].
Рис. 3.84, Зависимость коэффициента усиления от номинально плотности тока при рекомбинации в GaAs с указанными на рисунке концентрациями примесей. При расчетах использовалась модель ГЛГ — МЭС и не учитывалось сужение запрещенной зоны [60]. Рис. 3.84, <a href="/info/408365">Зависимость коэффициента усиления</a> от <a href="/info/412639">номинально плотности тока</a> при рекомбинации в GaAs с указанными на рисунке концентрациями примесей. При расчетах использовалась модель ГЛГ — МЭС и не учитывалось сужение запрещенной зоны [60].
Рис. 3,8.8. Зависимость от температуры номинальной плотности тока, необходимой для получения коэффициента усиление 50 см в GaAs для двух образцов fi-типа и трех образцов p-inna. Целые числа на каждой криво обозначают в единицах 10 см концентрации доноров и акцепторов соответственно [60]. Рис. 3,8.8. Зависимость от температуры <a href="/info/412639">номинальной плотности тока</a>, необходимой для получения <a href="/info/14517">коэффициента усиление</a> 50 см в GaAs для двух образцов fi-типа и трех образцов p-inna. <a href="/info/127863">Целые числа</a> на каждой криво обозначают в единицах 10 см концентрации доноров и акцепторов соответственно [60].


Смотреть страницы где упоминается термин Коэффициент усиления, зависимость от номинальной плотности тока : [c.200]   
Лазеры на гетероструктурах ТОм 1 (1981) -- [ c.195 , c.202 ]



ПОИСК



В номинальное

Зависимость ) от тока

Зависимость от плотности тока

Коэффициент усиления

Коэффициент усиления зависимость

Коэффициент усиления номинальный

Коэффициент усиления от номинальной плотности ток

Плотность тока

Плотность тока номинальная

Токи номинальные

Усиление



© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте