Коэффициент усиления, зависимость от номинальной плотности тока

Рис. 7.4.7. а — зависимость коэффициента усиления на пороге генерации от толщины активного слоя б — зависимость коэффициента усиления от номинальной плотности тока. Линейная зависимость показана штриховой линией. На вставке показано соотношение между коэффициентом усиления и концентрацией инжектированных электронов [60]. [c.209]

Рис. 3.8.7. Зависимость рассчитанною по модели ГЛГ — МЭС коэффициента усиления (поглощения) от номинальной плотности тока, характеризующей

Рис. 3.8.3. Зависимость коэффициента усиления от номинальной плотности тока при рекомбинации в GaAs с указанными на рисунке концентрациями примесей. Сплошными линиями показаны результаты для модели хвостов зон Гальперина —Лэкса [10], штрихпунктирными — результаты для параболических зон [8] и штриховыми—результаты для модели хвостов зон Кейна, полученные при использовании матричного элемента для параболической зоны и примесного уровня [9].

Рис. 3.84, Зависимость коэффициента усиления от номинально плотности тока при рекомбинации в GaAs с указанными на рисунке концентрациями примесей. При расчетах использовалась модель ГЛГ — МЭС и не учитывалось сужение запрещенной зоны [60].

Рис. 3,8.8. Зависимость от температуры номинальной плотности тока, необходимой для получения коэффициента усиление 50 см в GaAs для двух образцов fi-типа и трех образцов p-inna. Целые числа на каждой криво обозначают в единицах 10 см концентрации доноров и акцепторов соответственно [60].

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...