Менисковые линии при ЖФЭ

Одной из наиболее острых проблем, связанных с жидкофазной эпитаксией, является сложность контроля гладкости эпитаксиального слоя. Существует несколько определенных типов рельефа поверхности. Недостаточное зародышеобразование приводит к рельефу поверхности, называемому островковым ростом. Образование террас на поверхности происходит вследствие раз-ориентации подложки от какой-либо (обычно 100 ) грани кристалла с малыми индексами. Этот рельеф поверхности наблюдается чаще всего. Образование так называемых менисковых линий связано с механическим удалением раствора. [c.150]

Д. Д. Максутов [1181 показал, что угловой вторичный спектр менисковых систем в пределах от линии С до i может быть выражен формулой [c.284]

Рис. 6.5.16. Фазово-контрастная микрофотография менисковых линий на поверхности слоя GaAs, выращенного методом ЖФЭ [132].

Мезаполосковые лазеры 245, 246 -- с распределенной обратной связью 303—305 Менисковые линии при ЖФЭ 154 Модуляция излучения полосковых лазеров 301—303 [c.360]

Эта важная группа фотографических объективов, предназначенная главным образом для съемки ландшафтов, архитектурных ансамблей н т. д., с точки зрения последовательности развития рет начало от схемы Гнпергон Гёга, состоящей из двух симметрично расположенных относительно диафрагму менисковых линз с равными радиусами. Как было указано выше, равенство радиусов при определенной толщине обеспечивает необходимую оптическую силу с одновременным выполнением условия Пец-валя 0. Прн надлежащем выборе расстояния между лин- [c.274]

Кассету с фотопластинкой или пленкой можно поместить в сходящемся пучке камеры Шмидта или Максутова. Но ЭОП, спектра-коны и аналогичные им приборы требуют схему с вынесенной фокальной плоскостью. К таковым относятся системы типа Шмидт — Кассегрен и менисковый Кассегрен. Модификация последнего, предложенная Винне [218], показана на рис. 8.28, в. Использование дополнительной линзы 2 позволило уменьшить кривизну поверхностей мениска 1 и тем уменьшить остаточные аберрации высших порядков. При относительном отверстии 1 1,6 она обеспечивает поле 2и) = 10° с шириной спектральных линий не более [c.299]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...