Маска бинарная

Изготовление ДОЭ со ступенчатым профилем стало возможным в результате применения методов фотолитографии, разработанных и доведенных до определенной степени совершенства в микроэлектронной промышленности [12]. При этом под фотолитографией понимают технологию создания и копирования бинарных структур, применяемую в производстве интегральных схем. Многократно повторяемый этап их изготовления состоит в следующем. На кремниевую пластину наносят слой светочувствительного материала — фоторезиста, который экспонируют контактным или проекционным образом через заранее изготовленную бинарную амплитудную маску, называемую фотошаблоном, а затем проявляют в травящем растворе. В зависимости от типа (позитивный или негативный) фоторезист растворяется на экспонированных или, наоборот, неэкспонированных участках, в результате чего на пластине образуется защитный слой со сквозными окнами. Через эти окна осуществляют ту или иную технологическую операцию трав/ ение, напыление и т. д., после чего фоторезист удаляют и весь цикл повторяют снова (до 8—10 раз). При этом на последующих стадиях при экспонировании фоторезиста, кроме всего прочего, необходимо совмещать рисунок фотошаблона с имеющейся на пластине структурой. Подчеркнем также, что в результате проведения не- [c.200]

М-1) Я виртуальная бинарная маска [c.265]

Если нужен набор из нескольких бинарных масок (2-4), то можно рассчитать их последовательно или записать полутоновую маску в файл и затем получить все требуемые бинарные маски, используя преобразование. При расчете маски ДОЭ и изменении формата файла, выполняется синхронная визуализация. [c.298]

Для получения более равномерного распределения интенсивности в плоскости голограммы желательно использовать перед матри-пей входных данных синтезированную бинарную [184] или более сложную [185] фазовую маску. [c.272]

Для практического получения амплитудной маски с N градациями яркости можно использовать (N--1) бинарных амплитудных масок, осуществляя посчедова-тельный фотопроцесс. Существует также возможность уменьшить число бинарных масок до п = logg N. [c.18]

В настоящее время для формирования дифракщюнного микрорельефа апробировано и отлажено множество технологий с использованием самых разнообразных (физически, химически, механически) активных сред фокусируемых электронных и ионных пучков, газов, кислот, резистов, полимерных композиций, алмазных резцов. При этом различные технологии требуют создания различных шаблонов наборов бинарных масок для фотолитографии, полутоновых фотошаблонов для ЖФПК и отбеливания желатины, тонко-мембранной пленки для рентгеновской литографии или маски-трафарета для использования ионно-лучевой литографии. При использовании полутоновых шаблонов и соответствующих технологий формирование кусочжо-непрерывного Ешкрорельефа происходит в один этап (методы формирования кусочно-непрерывного рельефа рассмотрены в п. 4.4). При использовании набора бинарных шаблонов и соответствующих бинарно-активных сред для получения многоуровневого рельефа, процесс, показанный на рис. 4.3, приходится повторять несколько раз, перебирая по очереди все шаблоны из набора. Для ряда современных технологий (электронная литография, станки с ЧПУ) изготовления физически существующего шаблона (или набора шаблонов) не происходит в этих случаях формирование микрорельефа происходит на основе рассчитанного виртуального шаблона. [c.241]

Как правило, ЭЛГ используются для получения бинарных масок, однако имеется возможность получить и многоградационные изображения. Размеры поля пикселов Лщ X 10 . ЭЛГ (в отличие от фотопостроителя) дает амплитудную маску ДОЭ на специальном резисте. [c.247]

При расчете элемента могут быть получены полутоновые или бинарные маски. Маска может быть записана в файл в слсд ющих вариантах [c.298]

Технология создания фокусаторов в произвольно задаваемое распределение сложнее. Компьютер синтезирует бинарную или ступенчатую аппроксимацию фурье-образа искомого объекта, затем фотолитографически создается амплитудная, фазовая или амплитудно-фазовая маска, с которой копируют. микрорельеф ДОЭ. [c.314]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...