Кривая диэлектрического гистерезиса

Фиг. 21-49. Кривая диэлектрического гистерезиса.

Кривая диэлектрического гистерезиса 55 Криостат И, 13 Криптон 450, 455 КРО 133 [c.463]

Рис. 6.11, Основная кривая поляризации сегнетоэлектрика и петля диэлектрического гистерезиса

Температурная зависимость спонтанной поляризации Р, была определена из петель диэлектрического гистерезиса и пироэлектрического тока (рис. 3.3, кривые 1 ч 2 [c.68]

Рис. 3. Зависимость поляризации Р сегнетоэлектрика от электрического поля Е и петля диэлектрического гистерезиса участок АВ — начальная кривая ОВ — остаточная поляризация ОК — спонтанная поляризация ОЕ — коэрцитивное поле.

Ферроэлектрические устройства строятся на зависимости диэлектрической проницаемости ферроэлектрических материалов от напряженности электрического поля. Эта зависимость имеет такой же вид, как и кривая намагничивания для ферромагнитных материалов с прямоугольной петлей гистерезиса. [c.85]

Фиг. 21-48. Схема для осциллографи-рования кривой диэлектрического гистерезиса.

Осциллографирование кривой диэлектрического гистерезиса 54 Отпотевание поверхности нзоляции 299 Отравление ртутное 17 [c.468]

Нелинейность сегнетоэлектриков. Реориентируемая поляризация является главной особенностью сегнетоэлектриков и отражена в их определении [3, 4, 36, 86, 87]. На рис. 6.9,а приведена петля диэлектрического гистерезиса — главная характеристика доменной нелинейности сегнетоэлектриков. Как и в ферромагнетиках, гистерезис обусловлен переориентацией доменов первоначально домены ориентируются с увеличением Е (штриховая кривая), после чего наступает насыщение и рост Р Е) замедляется. [c.187]

Сегнетоэлектрики обладают нелинейными свойствами вследствие изменения их диэлектрической проницаемости при изменениях напряженности электрического поля заряд сегнетоэлектрического конденсатора нелинейно изменяется с изменением напряжения. Эта нелинейность связана с тем, что при циклическом изменении наиряжения заряд сегне-тоэлектркческого конденсатора изменяется по закону петли гистерезиса (рис. 2-8). При увеличении напряжения от нуля происходит увеличение заряда по первоначальной кривой зарядки, достигающей насыщения при снижении напряжения уменьшение заряда происходит с большим отставанием [c.40]

Величина tg б сегнетоэлектриков также зависит от напряженности электрического поля и имеет соответствующий максимум. У титаната бария максимум tg б в зависимости от напряженности электрического поля несколько смещен по сравнению с расположением максимума диэлектрической проницаемости в область более слабых полей на участок, соответствующий наиболее быстрому росту диэлектрической проницаемости. Величина tg б титаната бария при частоте 50 гц в слабых электрических полях лежит в пределах 0,02—0,03. Сверхвысокая диэлектрическая проницаемость керамического сегнетоэлектрика — титаната бария — представляет интерес с точки зрения использования его в малогабаритных конденсаторах. Однако такие конденсаторы обладают низкой температурной стабильностью емкости. В этом отношении значительно лучше керамические материалы со сверхвысокой диэлектрической проницаемостью не сегнетоэлектрического типа, например, описанная в 2-4 стронций-висмут-титанатная керамика. Сегнетоэлектрики обладают нелинейными свойствами вследствие изменения их диэлектрической проницаемости при изменениях напряженности электрического поля и величина зарядов сегнетоэлектрического конденсатора нелинейно изменяется с изменением напряжения. Эта нелинейность связана с тем, что при циклическом изменении напряжения заряд сегнетоэлектрического конденсатора изменяется по закону петли гистерезиса (рис. 2-17). При увеличении напряжения от нуля происходит увеличение заряда по первоначальной кривой зарядки, достигающей насыщения при [c.39]

Исследования изменения поляризации таких кристаллов позволяют построить кривую гистерезиса (рис. 1.4.1). Сходство в поведении диэлектриков в этом процессе и ферромагнетиков в аналогичном процессе объясняет, почему диэлектрики с явлением гистерезиса называют ферроэлектриками. Однако нужно признать, что такое наименование не очень удачно, так как механизмы, лежащие в основе этих двух явлений, совершенна разные. Разумеется, наличие кривой гистерезиса показывает,, что в сегнетоэлектриках нет линейной связи между поляризацией и полем, за исключением случая очень малых изменений поля. В последнем случае, если уравнение (1.2.6) остается справедливым, можно определить непостоянную диэлектрическую проницаемость е дифференциальным соотношением [c.30]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...