Схемы замещения диэлектрика

Рис. 3.5. Частотная зависимость tg б для различных схем замещения диэлектрика с потерями

Схемы замещения диэлектрика с потеря [c.31]

Рис. 2.27. Простейшая параллельная схема замещения диэлектрика с потерями

СХЕМЫ ЗАМЕЩЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИКА С ПОТЕРЯМИ [c.40]

СФ, СФГ (фольгированные стеклотекстолиты) 551, 554, 555, 556, 557 Схемы замещения диэлектрика 40 СЭ (стеклолакоткань) 418 СЭП — см. Сополимер этилена и пропилена [c.575]

Схемы замещения диэлектрика с потерями. Иногда при изучении поведения диэлектрика с потерями в переменном напряжении оказывается целесообразным заменить (чисто формально ) рассма- [c.170]

Таким образом, выбор той или иной схемы замещения при описании свойств диэлектрика предопределяется его частотными характеристиками. Во многих диэлектриках имеет место более сложная, чем на рис. 3.5,а, частотная зависимость tg6. Усложняя схему замещения — комбинируя различные соединения С и R (рис. 3.5,6), — можно получить практически полное совпадение характеристики схемы замещения и реально наблюдаемой зависимости tg6(0L)). [c.75]

При малом tg6 можно считать С=С,=Ср. Если tg6 велик, расчетное значение емкости С (а следовательно, и Ът, если последняя вычисляется из значения емкости и геометрических размеров диэлектрика) зависит от выбора модели диэлектрика и, таким образом, становится неопределенной. Значение tg д от избранной схемы замещения не зависит. [c.32]

Основные определения. Образец, диэлектрика с потерями может быть представлен в виде эквивалентной последовательной (рис. 29.19, а) ила параллельной (рис. 29.19, б) схемы. Независимо ог выбора эквивалентной схемы (схемы замещения) ряд параметров, характеризующих ее, остается неизменным. К ним [c.368]

Диэлектрические потери можно проиллюстрировать схемой замещения. Рассмотрим схему, эквивалентную конденсатору с диэлектриком, обладающим потерями, в виде идеального конденсатора с последова- [c.86]

В простейшем случае можно представить себе неоднородный диэлектрик в виде двух слоев, включенных последовательно. Эквивалентная схема замещения такого неоднородного диэлектрика может быть представлена в виде двух конденсаторов, включенных последовательно, как показано на рис. 44, а. [c.80]

Рис. 44. Эквивалентная схема замещения двухслойного диэлектрика (о) и зависимость б от частоты для этого же диэлектрика б).

Эквивалентная схема замещения такого неоднородного диэлектрика может быть представлена в виде двух конденсаторов, включенных последовательно, как показано на фиг. 31, а. [c.69]

На рис. 2-2 дана векторная диаграмма токов в диэлектрике, соответствующая электрической схеме замещения конденсатора с диэлектриком, обладающим потерями. Конденсатор с потерями заменен идеальным конденсатором, шунтированным активным сопротивлением (параллельное включение емкости С и сопротивле- [c.14]

При малом угле потерь, опять-таки пренебрегая величиной tg 6, мы будем иметь С Ср-, если же угол потерь велик, емкость (а следовательно, и диэлектрическая проницаемость, если она вычисляется по емкости) становится величиной неопределенной, зависящей от выбора модели диэлектрика с потерями, причем всегда g> p Rs[c.171]

Рассмотрим для простоты диэлектрик, состоящий лишь из двух включенных последовательно частей 1 VI 2, обладающих различными параметрами е и р (рис. 3-6,а) такому двухкомпонентному диэлектрику соответствует схема замещения, состоящая из емкостей и сопротивлений с соответствующими индексами (рис. 3-6,6). Принимаем также для упрощения, что значения е и р или С я Я обоих ко.мпо-нентов не зависят от величины напряжений на них и от времени воздействия на них напряжения. При включении рассматриваемого диэлектрика под постоянное напряжение и в первый момент напряжения на слоях 1 и 1/2 будут распределяться обратно пропорционально емкостям слоев [c.174]

Рис. 3.34. Параллельная схема замещения (а) и векторная диаграмма токов (б) в диэлектрике с потерями

Рис. 3.34. Параллельная <a href="/info/16374">схема замещения</a> (а) и <a href="/info/19381">векторная диаграмма</a> токов (б) в диэлектрике с потерями

В электронных схемах диэлектрик часто используется в качестве электрического конденсатора, который удобно представлять в виде идеальных емкостей и резисторов, имитирующих диэлектрические потери. Несколько таких экивалентных схем замещения представлено на рис. 3.5. Свойства такого диэлектрика, в ко-торо.м tg6 уменьшается с ростом частоты, описывает параллель- [c.74]

Однако в большинстве практически важных случаев композиционные диэлектрики (многие пластические массы, компаунды с наполнителями, керамические материалы сложного состава, смеси электроизоляционных жидкостей и т. п.) представляют собой неупорядоченные (хаотические или статистические ) смеси нескольких компонентов. При этом уже ни схема замещения рис. 2-23,а, ни схема замещения рис. 2-23,6 непригодны и, следовательно, непригодны и (2-78) и (2-79), выведенные на основании этих схем. Истинное значение диэлектрической проницаемости статистической смеси должно лежать между значениями, определяемыми (2-78) и (2-79), что формулируется неравенствами Винера (О. Wiener) [c.138]

Анализ теории дипольной поляризации Дебая и схем замещения для диэлектрика с потерями дал возможность американским физикам братьям Коул (Kenneth S. ole и Robert Н. Со е) установить, что геометрическое место точек в, г" для различных частот в прямоугольных осях координат ie, ", должно представлять собой полуокружность, центр которой лежит на оси е, в точке с координа- [c.182]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...