Травление конечная форма

Наиболее часто для отыскания направления этих осей используется рентгеноструктурный анализ кристалла [167]. Возможно также применение и других методов, например исследование формы ямок травления на разных гранях кристалла [163], пьезоэлектрический эффект [131]. Однако грубое определение направления оптической оси всегда полезно, поскольку любой из этих методов гораздо проще применять, если у кристалла обработана грань, перпендикулярная оптической оси. Конечно, если имеется монокристалл с естественной огранкой, то направление его осей можно определить по расположению и форме естественных граней. Так часто поступают с искусственно выращиваемыми кристаллами, такими, например, как ADP и KDP (дигидрофосфат калия). [c.35]

Образец был деформирован при высокой температуре и отожжен. Результатом деформации при комнатной температуре являются следы скольжения (см. ф. 145/1), в то время как быстрая деформация дает механические двойники (ф. 149/1), после деформации при более высокой температуре в конечной структуре при комнатной температуре также наблюдаются деформации, которые называются прожилками . В действительности прожилки являются особой формой субграниц, выявляемых соответствуюш,ими металлографическими травителями. В данном случае образец попеременно травили несколько раз в 4%-ном растворе пикраля и 1%-ном растворе ниталя в течение 5 сек каждый раз. В зависимости от ориентации зерен относительно исследуемой поверхности либо выявляются только следы прожилок (ф. 149/2), либо они несколько маскируются из-за одновременного травления всей матрицы (ф. 149/3). [c.114]

Качеству затравки уделяют особое внимание, поскольку ее структурное соверщенство во многом определяет соверщенство выращиваемого кристалла. Затравки вырезают из монокристаллов, кристаллографически ориентированных относительно направления вытягивания определенным образом, с минимальной плотностью дислокаций. Поверхностные нарущения удаляют химическим травлением и полировкой. Сечение затравки (имеющее форму квадрата или треугольника) делают минимально возможным для того, чтобы число дислокаций, наследуемых выращиваемым монокристаллом и возникающих вследствие термоудара, было минимально. Однако сечение затравки не должно быть слишком малым, иначе произойдет разрыв между затравкой и выращиваемым монокристаллом при вытягивании. Затравка должна быть ориентирована таким образом, чтобы облегчить движение и выход на поверхность кристалла дислокаций, проросших из затравки, и обеспечить максимальную симметризацию формы растущего кристалла. Например, кристаллы со структурой типа алмаза на практике часто выращивают вдоль направления <Н1>, перпендикулярного плоскости с теми же индексами, так как плоскости П1 являются плоскостями скольжения, в которых легко перемещаются дислокации, образованные различными источниками. Стремление к выращиванию симметричных монокристаллов (цилиндры с постоянным по длине диаметром) имеет глубокую основу. Однородность формы означает однородность и симметрию теплового режима роста монокристаллов, постоянство скорости кристаллизации и, в конечном счете, однородность электрофизических параметров по длине и поперечному сечению кристалла (см. ниже). Как правило, для максимальной симметризации теплового режима системы тигель и растущий кристалл вращаются в противоположных направлениях, при этом обеспечиваются и наилучшие условия перемешивания расплава. [c.227]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...