Примеси многозарядные

Широкий диапазон Ко и для разных примесей указывает на одну весьма важную проблему легирования полупроводниковых материалов примесями с малой растворимостью и малыми Ко высокое требование к чистоте самих примесей. Для примера сравним легирование германия галлием, содержащим примесь индия в количестве 10 атомных долей и легирование золотом, содержащим примесь галлия в том же количестве. В первом случае соотнощение концентраций основной и неосновной примесей в легированном кристалле (с учетом соответствующих Ко) будет Соа/С1п = 10 , то есть загрязнением галлия индием можно полностью пренебречь. Во втором случае Сди/Соа = 1 и, таким образом, само понятие основная примесь теряет смысл. Особые требования к чистоте золота диктуются еще и тем, что галлий (сопутствующая примесь в золоте) относится к группе мелких примесей, поэтому многозарядная система глубоких уровней, создаваемых золотом, может быть полностью или частично искажена. [c.282]

Примеси, которые в кристалле могут отдавать или принимать только один электрон и, следовательно, находиться только в двух различных зарядовых состояниях, называют простыми. Таким образом, простой донор в основном (неионизованном) состоянии — это примесь, с которой при сформировавшихся валентных связях связан один электрон а простой акцептор в основном состоянии — это примесь, с которой при сформировавшихся валентных связях связана одна дырка. Если же примесные атомы в основном состоянии при сформировавшихся валентных связях связывают несколько электронов или дырок, то примесь называют многозарядным донором или акцептором. Поведение примеси в полупроводнике при неизменных внешних условиях в значительной степени определяется ее положением в периодической системе. [c.117]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...