ДГС-лазеров лазеров с раздельным ограничением

ЛАЗЕРЫ РАЗДЕЛЬНОГО ОГРАНИЧЕНИЯ С ШИРОКИМ КОНТАКТОМ [c.227]

ДГС — РО-лазеры (ДГС-лазеры с раздельным ограничением) 102—107 [c.295]

В последнем из посвященных лазерам с широким контактом 5 рассматриваются свойства лазеров на структурах с четырех- и пятислойными волноводами, обсуждавшимися в 9 гл. 2. Они включают в себя лазеры с расширенным оптическим резонатором (РОР-лазеры), лазеры со структурой Ppn N и симметричные и асимметричные гетеролазеры с раздельным ограничением (ДГС-РО-лазеры). Они предназначены главным образом для применений, в которых нужна большая мощность излучения при сохранении низких порогов, свойственных ДГС-лазерам. [c.182]

Поскольку показатель преломления узкозопного полупроводника с ДГС больше, чем показатель преломления широкозонных слоев, возникает волновод, локализующий генерируемое излучение вблизи активной области. Выходная плотность мощности полупроводникового лазера ограничена лучевой прочностью кристалла, поэтому для повышения выходной мощности гетеролазера используют раздельное ограничение носителей и излучения в пятислойных структурах, например [c.947]

У большинства РОС- и РБО-лазеров дифференциальная квантовая эффективность не превышает единиц процентов, пороговая плотность тока 3—7 кА/см что затрудняет реализацию их функционирования при комнатной температуре. Одним из способов снижения /пор в РОС-и РБО-лазерах является использование решеток с блеском , т. е. с профилем, оптимизированным для определенного диапазона к и углов дифракции. Можно показать, что асимметрия треугольного профиля позволяет повысить /iamax более чем на порядок по сравнению с симметричным профилем. Увеличение глубины профиля в некоторых пределах такжё ведет к возрастанию max при ЭТОМ, однако, ухудшается спектральная селективность. Таким образом, оптимальное значение глубины решетки следует выбирать из компромиссных соображений. Значительное внимание уделяется исследованию и оптимизации ИЛ с РБО. В отличие от РОС-лазеров в РБО-лазерах резонанс отражения приходится на брэгговскую частоту и не подвержен расщеплению. Технология их изготовления относительно проще, чем РОС-лазеров, так как гетероструктуры формируются за один эпитаксиальный процесс, который не требуется прерывать для изготовления решетки, и, кроме того, исключается очень сложная операция заращивания профилированной поверхности. Другое существенное преимущество определяется тем, что дифракционная решетка наносится на пассивный участок волноводного слоя и не усугубляет деградацию характеристик лазера, в то время как использование структур с раздельным ограничением позволяет значительно снизить оптические потери на пассивном участке и обеспечить эффективное взаимодействие световой волны с решеткой. Основные структуры РОС- и РБО-лазеров показаны на рис. 6.14 [12, 18]. Лазеры с периодической структурой [c.118]

Структура с раздельным ограничением была использована в качестве волновода в лазерах с распределенной обратной связью путем создания в ней гофра на границе раздела между слоями i и 5 на рис. 2.9.1. Эта структура используется потому, что при комнатной температуре создание гофра на границе активного слоя ведет к чрезмерно сильной безызлучательиой рекомбинации. Распределенная обратная связь в гетеролазерах обсуждается в следующем параграфе. Использование ДГС — РО в приборах полезно также с точки зрения достижения низкой плотности порогового тока и малой расходимости луча при больших мощностях излучения. Эти свойства симметричных и асимметричных ДГС — РО-лазеров обсуждаются в 5 гл. 7, [c.107]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...