Полосковый лазер с изоляцией протонной бомбардировкой

Облучение полупроводника частицами высокой энергии приводит при диссипации их энергии к созданию дефектов решетки. Полученные таким образом нарушенные области могут быть высокоомными [106]. Фойт и др. [107] использовали протонную бомбардировку для изоляции приборов с р — -переходом на GaAs. Как показано на рис. 7.6.2, полосковые лазеры можно легко изготовить, защищая поверхность вольфрамовой проволо-КРЙ. Для этого также можнр исподьзовать полоски напыленного [c.240]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...