Жидкофазная эпитаксия (ЖФЭ) определение

В фазовых диаграммах для твердой и жидкой фаз большинства соединений А В реализуется очень простой случай, представленный на рис. 6.2.1. На этом рисунке большая часть диаграммы равновесия двух фаз представлена равновесием между составами ликвидуса и конгруэнтно плавящимся твердым соединением АС. Конгруэнтным плавлением называется плавление соединения при определенной температуре, такой, что твердая и жидкая фазы имеют один и тот же состав. Температура плавления соединения АС обозначена через Тр. Для температур Ti и Тч твердая фаза находится в равновесии с составами ликвидуса Хс Т ) и Хс[Т2) соответственно. При данной температуре Ja + = 1. Здесь А — элемент III группы, и соединение элементов III н V групп— АС может находиться в равновесии с очень разбавленным по отношению к С жидким раствором. Как указывается в 5 настоящей главы, это свойство фазовых диаграмм элементов III и V групп является основой метода жидкофазной эпитаксии соединений А "В из жидкости, состоя- [c.89]

Одной из наиболее острых проблем, связанных с жидкофазной эпитаксией, является сложность контроля гладкости эпитаксиального слоя. Существует несколько определенных типов рельефа поверхности. Недостаточное зародышеобразование приводит к рельефу поверхности, называемому островковым ростом. Образование террас на поверхности происходит вследствие раз-ориентации подложки от какой-либо (обычно 100 ) грани кристалла с малыми индексами. Этот рельеф поверхности наблюдается чаще всего. Образование так называемых менисковых линий связано с механическим удалением раствора. [c.150]

Получение монокристаллических гранатовых пленок. Эпитаксиальные феррит-гранатовые магнитные пленки для запоминающихся, логических и магнитно-оптических устройств получают методом жидкофазной эпитаксии, суть которого заключается в том, что тщательно очищенную и нагретую до требуемой температуры моно-кристаллическую подложку погружают на определенное время в переохлажденный раствор — расплав, содержащий все компоненты выращиваемой пленки. В этих условиях на подложке нарастает монокристалли-ческая пленка требуемого состава. Для правильного протекания процесса необходимо, чтобы параметры [c.485]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...