Ми рассеяние минимум отражения плазменный

Край плазменного отражения с увеличением температуры заметно сдвигается в коротковолновую область, поскольку концентрация собственных носителей заряда п ехр —Е /кв) экспоненциально растет с температурой. Край плазменного отражения имеет однозначно идентифицируемую форму в виде резкого минимума отражения (поскольку частота рассеяния мала по сравнению с плазменной частотой) и быстрого увеличения коэффициента отражения практически до единицы. Длина волны Лр1, соответствующая краю отражения, определяется соотношением Лр1 ехр Е /4 кв) и для g и 0,3 эВ изменяется в 4 раза в диапазоне 2004-300 К. Примеры применения особенностей плазменного отражения для термометрии кристаллов неизвестны. [c.102]

Энциклопедия по машиностроению XXL