Дефекты в кристаллах и процесс намагничивания

Магн. Р. проявляется в процессах намагничивания и перемагничивания (см. Магнитная вязкость), она определяет ширину линий магн. резонансов и дисперсию магн. восприимчивости. Магн. Р. ограничивает применимость магнетиков в технике и в физ. эксперименте. Т. к. магн. Р. (как и др. релаксац. процессы) существенно зависит от структуры тела и его хим. состава (в кристаллах — от наличия дислокаций и др. дефектов), то время магн. Р. можно изменять технологич. обработкой (легированием, закалкой и т. п.). [c.634]

Эта область соответствует энергии внещнего магнитного поля, при которой происходят необратимые смещения стенок доменов. Указанным смещениям препятствуют примеси в кристалле и другие дефекты кристаллической решетки. Плотность этих дефектов определяет смещения стенок доменов, влияет на магнитное сопротивление и потери на гистерезис. Под влиянием различных дефектов кристаллической решетки возникают нерегулярные колебания смещающихся стенок, которые наблюдаются в виде электромагнитных шумов в процессе намагничивания. В этом заключается суть эффекта Баркгаузена. [c.187]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...